位錯網(dislocation network)是2019年公布的冶金學名詞,出自《冶金學名詞》第二版。
基本介紹
- 中文名:位錯網
- 外文名:dislocation network
- 所屬學科:冶金學
- 公布時間:2019年
位錯網(dislocation network)是2019年公布的冶金學名詞,出自《冶金學名詞》第二版。
位錯網(dislocation network)是2019年公布的冶金學名詞,出自《冶金學名詞》第二版。定義由於位錯塞積和交滑移等原因形成的網路式結構。出處《冶金學名詞》第二版。1...
位錯網[絡] 位錯網[絡]是2019年公布的物理學名詞。 公布時間 2019年全國科學技術名詞審定委員會審定公布的物理學名詞。出處 《物理學名詞》。
《Ni3Al基單晶合金界面位錯網對蠕變性能的影響》是依託北京航空航天大學,由周健擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 發展低密度、低成本和高承溫能力或大承載能力的單晶高溫合金具有重要意義。課題組前期研製的系列新型Ni3Al基單晶合金密度...
可動位錯(Movable dislocation)是指一個全位錯分解為兩個或多個不全位錯。C u / N i 多層膜的強化作用來自於多層膜結構中交變應力場對位錯運動的約束。該交變應力場主要包括兩部分: 在共格界面處由於剪下模量差而導致的鏡像力, ...
位錯的增殖機制主要也有三種機制:弗蘭克-里德位錯源(Frank-Read source)機制、雙交滑移增殖機制,和攀移增殖機制。信息介紹 弗蘭克-里德位錯源是若某滑移面有一段刃型位錯AB,兩端被位錯網節點釘住不能運動。在沿其垂直線方向外加剪下...
位錯網路中反相疇界能與超位錯分解 由螺型超位錯組成的位錯網路中,螺型超位錯的分解寬度明顯大於單獨螺型超位錯的分解寬度。各向同性線性彈性理論計算表明,這一現象是由於位錯網路中,部分反相疇界相互抵消所致。隨著反相疇界能的減小,...
林位錯(dislocation forest )是指與主滑移系統相交的次滑移系統上的位錯。也可理解為對於正在滑移面上運動的位錯來說,穿過此滑移面的其他位錯林。林位錯的存在會阻礙位錯的運動,但是若應力足夠大,滑動的位錯將切過林位錯而繼續前進...
單位位錯,也稱特徵位錯,就是指它的柏氏矢量等於晶體中最短的點陣矢量的位錯。實際晶體結構中的位錯分類 在簡單立方點陣中的位錯,它的柏氏矢量b總是等於點陣矢量。點陣矢量是點陣中連線任意兩點的矢量。在實際晶體結構中,位錯的柏氏矢量...
研究矽單晶中某些位錯源和位錯的增殖情況。在研究區熔法生長的矽單晶中的缺陷時,發現了由於熱應力作用在雜質條周圍產生的位錯環列。用化學侵蝕法研究了它們的空間結構,以及位錯環列相交、互作用而形成的位錯網。外加應力使位錯運動 蝕...
《位錯》是1980年科學出版社出版的圖書,作者是J.弗里埃德爾。內容簡介 本書是系統地闡述位錯理論的專著。全書共分三部分:第一部分描述位錯的一般性質,包括位錯的實驗觀測、單個位錯的幾何結構、彈性理論、運動方式及其在晶體生長中的...
退火時,會消除板材內部的殘餘應力和內應變,並推動位錯的運動,在運動過程中使得一部分柏氏矢量方向相反的位錯相遇並消失,或者一部分位錯有序化形成位錯網或位錯牆;隨著退火溫度的升高,位錯牆會互相連線合併形成亞晶界。簡介 在韌性剪下...
位錯的形態特點 1.由於位錯是已滑移區和未滑移區的邊界,所以位錯線不能中止在品體內部,而只能中止在晶體的表面或晶界上。2.在品體內部,位錯線一定是封閉的,或者自身封閉成一個位錯圈,或者構成三維位錯網。鍺單晶中位錯密度的影響...
扭轉晶界是由兩組相交的螺型位錯所構成。純粹的傾側晶界和扭轉晶界是晶界的兩種特殊形式。一般晶界的旋轉軸和界面可以有任意的取向關係,所以實際上小角度晶界是由二維(平面分布)的位錯網路所構成。納米晶粒尺度金屬多晶體具有優良的力學性能...
《納米晶金屬卸載塑性變形行為及其機制的研究》是依託吉林大學,由江忠浩擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 傳統粗晶多晶體金屬塑性變形時,交叉滑移繫上位錯相互作用產生的位錯網會限制位錯的運動並導致應變硬化,卸載時位錯結構仍保持穩定...
亞結構(substructure)是一種嵌鑲結構,泛指晶體內部的錯位排列和分布;特指晶體劃分為取向差不大(從秒到度數量級)的亞晶粒,其晶粒間界可以歸結為錯位的行列或網路(見位錯)。它們都是與超結構或調製結構相對而言的,其晶胞此時稱...
晶體缺陷的直接觀察,晶體中存在多種具有明確特徵的缺陷,如位錯、堆垛層錯、疇界、空位和填隙原子等(見晶體缺陷、位錯、面缺陷、點缺陷)。早期提出晶體具有缺陷的假設是為了解釋某些結構敏感性能(屈服強度、擴散、X射線的衍射強度等)...
結果認為:(1)晶體中的體空位和位錯空位(含晶界和表面位錯)都為擴散原子提供主要擴散通道;(2)擴散原子的對數濃度與擴散濃度曲線符合Harris-on提出的B類擴散動務學判據。位錯擴散係數值隨位錯密度及位錯網壁厚度的增大而增大;(3...
②線缺陷—位錯 位錯的概念1934年由泰勒提出到1950年才被實驗所實具有位錯的晶體結構,可看成是局部晶格沿一定的原子面發生晶格的滑移的產物。滑移不貫穿整個晶格,晶體缺陷到晶格內部即終止,在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界處造成...
夫蘭克,F.C.,英國物理學家。人物經歷 1911年3月6日生,長期在布里斯托大學任教。他在1949年首先提出螺型位錯在晶面露頭處的台階可以促進晶體生長這一獨創性的想法,隨即得到實驗的證實;這一方面為晶體中確實存在位錯首次提供較直接的...
本課題主要套用電子顯微學方法,輔以三維原子探針和計算、模擬,研究我國自行研製的不同Re含量、不同蠕變外場下的單晶Ni基高溫合金的具原子級解析度的合金微觀組織、Re和其它合金化元素的分布、Re的存在形態、Re對位錯組態和運動的影響及...
位錯直觀定義:晶體中已滑移面與未滑移面的邊界線。這種線缺陷又稱位錯,注意:位錯不是一條幾何線,而是一個有一定寬度的管道,位錯區域質點排列嚴重畸變,有時造成晶體面網發生錯動。對晶體強度有很大影響。位錯主要有兩種:刃型位錯和...
(2)位錯阻尼:位錯阻尼可用Koehler-Granato-Lucke模型來解釋。外界振動引起位錯移動,發生從弱釘扎點(如溶質原子、 空位等)上出現雪崩式脫釘,然後在強釘扎點(位錯網節點、沉澱相等)周圍形成位錯環,由此引起應力鬆弛和機械振動能的...
位錯滑移會引起晶體的剪下變形,它是金屬塑性變形的主要機制。位錯造成晶體內原子的錯排,進而引起它附近晶體點陣結構的彈性畸變,因此位錯也是內應力源。只有當金屬的層錯能很低時,完整位錯的分解才會明顯出現。當滿足一定條件時,完整位錯...
在納米結構Al-1%Si合金中引入在晶界擇優析出和晶內彌散分布的納米Si顆粒可使材料在獲得高強度的同時保持良好的塑性,這可能與塑性變形過程中形變位錯與上述具有特徵分布的納米Si顆粒及晶界的強烈互動作用有關。為深入理解這種互動作用,需要...
生長台階,是弗蘭克於1949年將位錯與晶體生長動力學聯繫起來而產生的一種科學技術。最初考慮的是一個與生長界面垂直相交的螺型位錯,後來又把這個模型推廣到具有與生長界面垂直的永不消失的柏格斯矢量分量的其他一切位錯。這些位錯的性質由...
晶粒間界(grain boundary)是指多晶體中不同取向晶粒間的界面。簡稱晶界。1940年J.M.伯格斯和W.L.布拉格晶界是由位錯構成的模型。1954年F.L.沃格爾等在鍺單晶中觀察到規則的位錯腐蝕斑排列,成功驗證了小角度晶界的位錯模型。晶界只有...