位錯反應，由幾個位錯合成為一個新位錯或由一個位錯分解為幾個新位錯的過程。位錯具有高能量而不穩定，除了與其他位錯（以及點缺陷）之間發生互動作用外，還常有自發反應，結果降低了體系的自由能。自發的位錯反應必須滿足兩個條件：一是幾何條件，即反應前後位錯在三維方向的分矢量之和必須相等；二是能量條件，即位錯反應後應變能必須降低。
基本介紹
- 中文名：位錯反應
- 定義：由幾個位錯合成為一個新位錯或由一個位錯分解為幾個新位錯的過程
位錯反應，由幾個位錯合成為一個新位錯或由一個位錯分解為幾個新位錯的過程。位錯具有高能量而不穩定，除了與其他位錯（以及點缺陷）之間發生互動作用外，還常有自發反應，結果降低了體系的自由能。自發的位錯反應必須滿足兩個條件：一是幾何條件，即反應前後位錯在三維方向的分矢量之和必須相等；二是能量條件，即位錯反應後應變能必須降低。
位錯反應，由幾個位錯合成為一個新位錯或由一個位錯分解為幾個新位錯的過程。位錯具有高能量而不穩定，除了與其他位錯（以及點缺陷）之間發生互動作用外，還常有自發反應，結果降低了體系的自由能。自發的位錯反應必須滿足兩個條件：一是...
可動位錯（Movable dislocation）是指一個全位錯分解為兩個或多個不全位錯。C u / N i 多層膜的強化作用來自於多層膜結構中交變應力場對位錯運動的約束。該交變應力場主要包括兩部分: 在共格界面處由於剪下模量差而導致的鏡像力, ...
所謂位錯，是晶體中的一條管狀區域，在此區域內原子的排列很不規則，也就是說形成了缺陷。由於這個管道的直徑很小（只有幾個原子間距），可以將它看成是一條線，所以位錯是一種線性缺陷。塑性變形時，位錯的運動是比較複雜的，位錯之間...
晶體中的界面、第二相粒子以及位錯反應所形成的不動位錯都可能成為位錯運動的障礙。在變形時，位錯源增殖的位錯可能在這些障礙前形成位錯塞積群。緊挨障礙物的那個位錯就被稱為領頭位錯或領先位錯，塞積的位錯數目越多，領頭位錯對障礙物...
擴展位錯的束集或擴展的割階上會發生許多極有趣的位錯反應或變換。正常的擴展位錯不能交叉滑移到其它滑移面內，但一旦形成束集，交叉滑移即可發生。擴展位錯的寬度，即兩個不全位錯之間的距離，或擴展位錯其間層錯帶的寬度W決定於兩個不...
位錯網路中反相疇界能與超位錯分解 由螺型超位錯組成的位錯網路中，螺型超位錯的分解寬度明顯大於單獨螺型超位錯的分解寬度。各向同性線性彈性理論計算表明，這一現象是由於位錯網路中，部分反相疇界相互抵消所致。隨著反相疇界能的減小，...
不同滑移系統增殖的位錯可以起到障礙作用。假定阻礙位錯滑移運動的主要是與主滑移系統相交的次滑移系統上的位錯（稱為林位錯）。當滑移位錯與林位錯相交後可能引起割階或反應形成新的位錯或繞過林位錯增長了位錯線。不管哪種情況都需要...
在某一種品體結構中，力學平衡位置很多，故柏氏矢量可取很多；但從能量條件看，由於位錯能量正比於b²，柏氏矢量b越小越好。能量較高的位錯是不穩定的，往往通過位錯反應分解為能量較低的位位錯組態。相關概念 位錯反應 位錯反應就是...
基於疲勞位錯組態演化規律，提出有序分布的位錯花樣是疲勞位錯組態的穩態分布。指出循環塑性耗散應變壓器能和疲勞斷口分形維數分別從熱力學和幾何學上反應材料疲勞損傷程度，建立了相應的損傷演化方程。用耗攻結構理論解釋了位錯演化規律，提出...
4.8 面心立方晶體中的不全位錯 4.9 不全位錯的運動 4.10 不全位錯的Burgers矢量 4.11 六方晶體中的層錯與不全位錯 4.12 體心立方晶體的堆垛層錯 第五章 擴展位錯和位錯反應 5.1 位錯反應的條件 5.2 面心立方點陣中的...
Lorner-Cottrell勢壘是指在面心立方金屬中，由於位錯反應形成Lomer-Cot-trell位錯，引入阻礙位錯自由運動的壁壘。定義 Lorner-Cottrell勢壘是指在面心立方金屬中，由於位錯反應形成Lomer-Cot-trell位錯，引入阻礙位錯自由運動的壁壘。形成 兩...
博格斯向量是英文Burgers vector的音譯，也譯為伯格斯向量，是伯格斯提出的表示位錯引起的晶體畸變的一種方法。轉位是說明結晶滑動的理論性概念。在滑動面滑動的領墩與尚未滑動的領域之交界及其周圍變形的狀態稱為轉位，而記述轉位的最重要...
柏氏矢量（Burgers vector）是描述位錯實質的重要物理量。反映出柏氏迴路包含的位錯所引起點陣畸變的總積累。基本概念 通常將柏氏矢量稱為位錯強度，位錯的許多性質如位錯的能量，所受的力，應力場，位錯反應等均與其有關。它也表示出晶體...
溫度高時,缺陷可以聚集成Frank固定位錯環,Frank環又可以和其他位錯反應從而轉化成稜柱位錯，等等。除此以外，輻照損傷的空位還可以聚集成空洞，輻照產物He還可以聚集成氦泡。這些都是已被觀察到的輻照效應。金屬的輻照損傷和輻照效應輻照後...
如多條位錯通過，則可把四面體移出，從而形成通道； 2. 位錯可吸收表面附近的四面體並帶出表面，從而形成通道； 3. 晶界附近的四面體可橫向移動直至被晶界吸收，從而形成通道。 綜上所述，本項目在位錯與缺陷相互反應以及無缺陷通道的...
3182帶割階位錯的運動98 319面心立方晶體中的位錯99 3191全位錯99 3192Shockley分位錯100 3193擴展位錯101 3194弗蘭克(Frank)分位錯104 320位錯反應105 3201反應條件：位錯反應要滿足以下兩個...
包裹金的晶粒中的雜質比一般純材料更多，因此引起位錯塞積多，熱應力引起位錯反應產生斷裂核心也多。通過控制焙燒參數，產生適宜的熱應力，破壞礦物的熱力學穩定性條件，沿晶粒邊界誘發粒間裂紋和裂隙生成，使粒間裂紋和裂隙以及礦粒內部缺陷...
基於疲勞位錯組態演化規律，提出有序分布的位錯花樣是疲勞位錯組態的穩態分布。指出循環塑性耗散應變壓器能和疲勞斷口分形維數分別從熱力學和幾何學上反應材料疲勞損傷程度，建立了相應的損傷演化方程。用耗攻結構理論解釋了位錯演化規律，提出...
7．5 位錯的生成與增殖 7．5．1 位錯密度 7．5．2 位錯的生成 7．5．3 位錯的增殖 7．6 實際晶體中的位錯 7．6．1 實際晶體結構中的單位位錯 7．6．2 堆垛層錯 7．6．3 不全位錯 7．6．4 位錯反應 7．6．5 FCC...
substrate using Phase Field Crystal Method,SCI ,晶界位錯運動與位錯反應過程的晶體相場模擬,SCI ,晶體相場方法模擬高溫應變作用的預熔化晶界的位錯運動,SCI ,晶體相場方法模擬高溫應變作用的預熔化晶界的位錯運動,EI(期刊) ,晶界位錯發射...
4.20.2刃型位錯與螺型位錯的交割 4.20.3螺型位錯與螺型位錯的交割 4.21面心立方晶體中的位錯 4.21.1全位錯 4.21.2Shockley分位錯 4.21.3擴展位錯 4.21.4Frank分位錯 4.21.5壓桿位錯 4.22位錯反應 4.22.1自發位錯...
7.5位錯的生成與增殖367 7.5.1位錯密度367 7.5.2位錯的生成367 7.5.3位錯的增殖367 7.6實際晶體中的位錯370 7.6.1實際晶體結構中的單位位錯370 7.6.2堆垛層錯371 7.6.3不全位錯372 7.6.4位錯反應378 7.6.5FCC晶體...