中腦傳導束毀損術適用於偏側性範圍較廣的軀幹或頭面部各種頑固性疼痛，軀幹疼痛毀損對側中腦脊髓丘腦束，頭面部疼痛毀損對側中腦三叉丘系。
名稱,禁忌證,準備,方法,注意事項,
名稱
中腦傳導束毀損術
禁忌證
1.一般狀況較差，存在嚴重的呼吸、循環功能障礙，以及有肝臟、腎臟或凝血功能衰竭而不能耐受手術者。
2.手術部位或其附近存在感染灶、血管畸形及其他性質難以明確的病變者。
3.疼痛的範圍、性質和程度等經常變化不定者。
4.急性疼痛一般不首選外科手術治療。
準備
術前麻醉方法的準備：手術在局麻下進行，常規在頭皮對應的位置取直切口，顱骨鑽孔1個，電灼切開硬腦膜和皮層。
方法
1.術前給患者安裝立體定向頭架，要注意使頭架的軸位面與AC-PC線保持平行，然後行顱腦MRI掃描，計算靶點坐標。中腦脊髓丘腦束的參考定位坐標為：PC後方5mm，AC-PC線下方5mm，AC-PC線旁開7～10mm。三叉丘系位於脊髓丘腦束的內側，其參考定位坐標為：PC後方5mm，AC-PC線下方5mm，AC-PC線旁開4～6mm。
2.將微電極導入靶點進行術中電刺激，當刺激脊髓丘腦束時，會出現對側軀體的疼痛、麻木、電灼或發涼等感覺；當刺激三叉丘系時，則會出現對側頭面部的異常感覺，根據電刺激的結果來確定最終的毀損靶點位置。
3.置換直徑<1.1mm、尖端裸露2mm以內的射頻毀損電極，70～75℃毀損40～60s。
注意事項
1.中腦脊髓丘腦束和三叉丘系的毀損靶點位置爭議較大，這主要與中腦毀損的具體層面的不同有關。
2.術中要注意保持患者神志清楚並能很好地與醫生交流和配合，在預計靶點附近反覆進行電刺激，觀察電刺激時患者對側軀幹或頭面部感覺的變化情況以及患者的眼球活動情況，據此來確定毀損的靶點位置，避免損傷動眼神經核等中腦的其他結構，術中微電極刺激結果是判斷毀損靶點位置準確與否的最重要依據。
3.毀損時要注意控制毀損的溫度和時間，使毀損灶的直徑不超過3mm，以避免或減少對中腦其他結構的損傷。
