中子武器技術基於將高加速的中子光束投射在目標上,依靠目標物帶電荷的本質,可以造成巨大的傷害。中子光束比雷射優秀,但需要更多的研究費用。雖然與其他技術相較之下較為簡易,在大多數的星球上,被運用到的機會並不大。
基本介紹
- 中文名:中子技術
- 屬性:技術
- 對象:高加速的中子光束
- 需要:研究實驗室(等級 4)
中子武器技術基於將高加速的中子光束投射在目標上,依靠目標物帶電荷的本質,可以造成巨大的傷害。中子光束比雷射優秀,但需要更多的研究費用。雖然與其他技術相較之下較為簡易,在大多數的星球上,被運用到的機會並不大。
中子武器技術基於將高加速的中子光束投射在目標上,依靠目標物帶電荷的本質,可以造成巨大的傷害。中子光束比雷射優秀,但需要更多的研究費用。雖然與其他技術相較之下...
中子(Neutron)是組成原子核的核子之一。中子是組成原子核構成化學元素不可缺少的成分(注意:氕原子不含中子),雖然原子的化學性質是由核內的質子數目確定的,但是...
脈衝中子技術主要套用於石油領域,是一種剩餘油評價測井技術。脈衝中子測井是一種核測井方法,其原理是利用脈衝中子與地層相互作用,來檢測在開採石油時井中的各項物質...
中子治療即硼中子俘獲治療(Boron Neutron Capture Therapy,簡稱BNCT)。硼中子俘獲治療通過在腫瘤細胞內的原子核反應來摧毀癌細胞。它的原理是這樣的:先給病人注射一...
中子套用技術教育部工程研究中心是在蘭州大學加速器教研室、蘭州大學中子物理及套用技術研究所科研及技術開發工作基礎上,經教育部批准,於2001年4月開始依託蘭州大學...
中子輻照(Neutron irradiation)技術就是利用熱中子去照射材料、使其性能發生變化的一種技術。...
中子(n)和質子(p)同為原子核的兩個組成粒子(統稱為核子),分別由不同的三個夸克構成。其區別是,質子帶一個單位的正電荷,而中子不帶電。在原子核內,通過β...
中子散射技術利用中子散射方法研究物質的靜態結構及物質的微觀動力學性質[1]。中子具備不帶電、穿透力強、可鑑別同位素、較之X射線對輕元素靈敏、具有磁矩等優點,...
利用中子與硼或鈾相互作用後產生的帶電粒子使氣體電離或經中子照射作用後材料本身的活化來探測中子的器件。中子探測器廣泛用於反應堆核功率測量或堆芯中子注量率分布...
中子是不帶電粒子,只能與原子核碰撞時將能量傳遞給原子核,產生帶電的次級粒子引起電離作用。中子與物質的相互作用過程分為散射和核反應兩大類。散射包括彈性散射和...
中子織構分析(Neutron texture analysis)是一種適於表征塊體多晶材料中晶粒取向分布(織構)並進行原位分析的技術。通過獲得材料內部織構信息以及在變形或使役條件下織構...
中子散射方法,是指中子散射技術中用於研究物質靜態結構和微觀動力學性質的方法,它是研究物質微觀結構和動態的理想工具之一,廣泛地套用於凝聚態物質研究和套用的眾多...
中子物理學,研究中子與各種物質間的相互作用的近代物理學的一個分支。論述了有關中子學科的基本實驗方法、中子與原子核的相互作用、中子在物質中輸運與中子在相關...
利用中子與物質的相互作用進行爆炸物檢測的技術。...... 中子檢測爆炸物技術釋義 爆炸物中含有的C、N、H、O等元素的含量和比例各不相同,不同於其他非爆炸物。中...
在穩態反應堆上獲取飛行時間方法所需的脈衝中子束流, 通常採用斬波器( Chopper)將連續中子束切割為一系列寬度相等的中子脈衝束的方法。斬波器一般採用對中子不透明...
一種基本粒子,質量和其他性質都同中子一樣,只是磁性與中子相反。它和一個中子相遇時釋放出比核子的聚合反應大得多的能量。反中子是反質子在接近普通質子但還沒有...
中子射線照相術是用中子射線透照試件攝影的技術。...... 中子射線照相術是用中子射線透照試件攝影的技術。中文名稱 中子射線照相術 英文名稱 neutron radiography ...
快中子堆是由快中子引起原子核裂變鏈式反應,並可實現核燃料增殖的核反應堆,能夠使鈾資源得到充分利用,還能處理熱堆核電站生產的長壽命放射性廢棄物。...
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中子活化法,又稱中子活化分析(NeutronActivation Analysis ,NAA),活化分析中最重要的一種方法,用反應堆、加速器或同位素中子源產生的中子作為轟擊粒子的活化分析方法,...
中子炮,是指利用發射高能中子束來打擊目標,使防護盾不穩定並且燒毀電子設備。這種技術在21世紀時就已存在,當時稱為EMP,也就是電磁脈衝。中子炮有一個特性,脈衝...
中子彈也是一種利用核材料聚變反應放出巨大能量的原理製成的核武器,因此又被稱為特殊的氫彈。由於它是利用輕核聚變時產生的大量高能中子進行殺傷破壞的一種小型核...
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中子感測器負責讀取中子數據,一個簡單的中子感測器是由一個半導體P - N結二極體做成的,只是在N型材料頂表面上塗有一層很薄的鈾235。...