《一種提高碳化矽單晶生長籽晶托緻密性的方法》是山西爍科晶體有限公司於2021年1月13日申請的專利，該專利公布號為CN112962145A，專利公布日為2021年6月15日，發明人是毛開禮、魏汝省、趙麗霞、戴鑫、李天、喬亮、范雲、李斌、靳霄曦。
基本介紹
- 中文名：一種提高碳化矽單晶生長籽晶托緻密性的方法
- 授權公告號：CN112962145A
- 授權公告日：2021年6月15日
- 申請號：2021100437579
- 申請日：2021.01.13
- 申請人：山西爍科晶體有限公司
- 地址：030006山西省太原市綜改示範區太原唐槐園區唐槐路5號
- 發明人：毛開禮; 魏汝省; 趙麗霞; 戴鑫; 李天; 喬亮; 范雲; 李斌; 靳霄曦
- Int. Cl.：C30B35/00(2006.01)I; C30B29/36(2006.01)I
- 專利代理機構：太原高欣科創專利代理事務所(普通合夥)14109
- 代理人：崔雪花; 冷錦超
專利摘要
本發明提出一種提高碳化矽單晶生長籽晶托緻密性的方法，屬於碳化矽單晶生長籽晶技術領域；具體步驟包括：在籽晶托表面反覆塗刷有機物薄膜，直至籽晶托不再吸收有機物薄膜為止；將塗刷有機物薄膜後的籽晶托放入真空退火爐中進行高溫碳化處理，之後將經過高溫碳化處理的籽晶托粘結碳化矽籽晶；本發明在籽晶托表面通過塗刷高碳含量有機物薄膜製備焦連碳，可以有效提高籽晶托的緻密性，減少籽晶背部升華，防止空洞、微管等缺陷的產生。
