一種半導體存儲器的器件結構是由安徽鉅芯半導體科技有限公司完成的科技成果，登記於2019年8月27日。
基本介紹
- 中文名：一種半導體存儲器的器件結構
- 類別：科技成果
- 完成單位：安徽鉅芯半導體科技有限公司
- 登記時間：2019年8月27日
成果信息,項目成員,
成果信息
成果名稱 | 一種半導體存儲器的器件結構 |
成果完成單位 | 安徽鉅芯半導體科技有限公司 |
批准登記單位 | 安徽省科學技術廳 |
登記日期 | 2019-08-27 |
登記號 | 2019N993Y011211 |
成果登記年份 | 2019 |
項目成員
曹孫根
一種半導體存儲器的器件結構是由安徽鉅芯半導體科技有限公司完成的科技成果，登記於2019年8月27日。
成果名稱 | 一種半導體存儲器的器件結構 |
成果完成單位 | 安徽鉅芯半導體科技有限公司 |
批准登記單位 | 安徽省科學技術廳 |
登記日期 | 2019-08-27 |
登記號 | 2019N993Y011211 |
成果登記年份 | 2019 |
一種半導體存儲器的器件結構是由安徽鉅芯半導體科技有限公司完成的科技成果，登記於2019年8月27日。成果信息成果名稱一種半導體存儲器的器件結構成果完成單位安徽鉅芯半導體科技有限公司批准登記單位安徽省科學技術廳登記日期20...
串列存儲器 它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位暫存器和電荷耦合存儲器等。按製造工藝技術的不同，半導體存儲器可分成MOS型存儲器和雙極型存儲器兩類。70年代以來，NMOS電路(見N溝道金屬-氧化物...
通常來說，有機半導體二極體電存儲器件的結構都比較簡單，均為“三明治”結構，即將有機半導體功能層至於上下兩個電極之間。常用的電極有氧化銦錫(ITO)、金屬電極、石墨烯電極及新型有機材料電極等。按照功能層來分類，我們常見到的器件結構有四種。第一種器件結構是使用單一的有機半導體活性層，這種器件結構要求只要...
公開了半導體存儲器件，包括：堆疊結構，包括豎直堆疊在襯底上的多個層，每個層包括半導體圖案、在該半導體圖案上沿第一方向延伸的柵電極以及電連線到該半導體圖案的數據存儲元件；多個豎直絕緣體，穿透堆疊結構，該豎直絕緣體沿第一方向布置；以及位線，設定在堆疊結構的一側處並豎直延伸。位線將堆疊的半導體圖案電連線...
半導體器件的半導體材料是矽、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與積體電路相區別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極體）的基本結構是一個PN結。簡介 半導體器件（semiconductor device）通常利用不同的半導體材料、採用不同的工藝和幾何結構，已研製出種類繁多、...
利用外界條件，如電、熱、壓力、光等，使非晶態薄膜的結構發生變化，用以記錄和存儲信息的器件。這種存儲器大都用硫系玻璃半導體製成，因而也稱為玻璃半導體存儲器。產品簡介 非晶態半導體存儲器 amorphous semiconductor memory 主要有電存儲器和光存儲器兩大類，前者利用非晶態半導體在電學性質上存在的雙穩態特性質，即...
非永久記憶的存儲器：斷電後信息就消失的存儲器，如半導體讀/寫存儲器RAM。永久性記憶的存儲器：斷電後仍能保持信息的存儲器，如磁性材料做成的存儲器以及半導體ROM．4．按在計算機系統中的作用分類 主存儲器 輔助存儲器緩衝存儲器 控制存儲器 分級結構 在計算機系統中，通常採用三級存儲器結構，即使用高速緩衝存儲...
位高集成度電荷耦合器件存儲器，它可用於圖像信息存儲，也是光計算機的重要存儲器件。由於半導體量子光電子學技術的發展，可生長一種人工改性的超微結構的半導體材料，即量子阱超晶格材料、如砷化鎵異質材料，這種砷化鎵材料有較好的光電子特性，它和電荷耦合存儲技術相結合，可以構造較理想的圖像信息存儲器。砷化鎵 砷化鎵屬...
本論文面向動態隨機存儲器(DRAM)和快閃記憶體(Flash memory)兩類重要的半導體存儲技術，從提高存儲密度、提升性能、增強可靠性和降低功耗的角度，圍繞器件結構、陣列架構、工藝製備及相關特性分析等方面展開研究。 對於DRAM，由於1T1C DRAM在單元尺寸縮小時工藝複雜性增加和單元可靠性下降，嵌入式套用受到了限制。面向嵌入式DRAM...
金屬氧化物半導體存儲器 金屬氧化物半導體存儲器（metal-oxide-semiconductor memory）是2018年公布的計算機科學技術名詞。定義 由金屬-氧化物-半導體場效應管構成的存儲器。主要分為動態金屬氧化物半導體存儲器和靜態金屬氧化物半導體存儲器。出處 《計算機科學技術名詞 》第三版。
單電子存儲器的出現使存儲器繼續維持高速發展成為可能，目前已經實現室溫下的對背景電荷不敏感的單電子存儲器，因此實際套用的前景非常光明。從目前設計製備出來的單電子存儲器來看，它們的工作通常只需控制幾百個、幾十個甚至幾個電子就可以實現數據的存儲，因此它們的功耗非常低。一般根據存儲器件結構的不同，將其分為...
存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為唯讀存儲器（ROM）和隨機存取存儲器（RAM），兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同。工作原理 存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干二進制位構成，以表示存儲單元中存放的數值，這種結構和數組的結構非常相似，...
1.3存儲器的發展趨勢008 1.3.1集成度不斷提高008 1.3.2存儲速度不斷提高008 1.3.3工作電壓不斷降低008 1.3.4新型存儲器不斷出現009 1.4有機半導體存儲器009 第2章有機二極體電存儲器018 2.1基本原理018 2.2器件結構及製備方法019 2.2.1有機二極體電存儲器的分類019 2.2.2有機二極體電存儲器的...
用非晶矽薄膜制的光電感測器件也已達到實用化程度。這種器件具有靈敏度高、工藝簡單、成本低等特點。光電信息的存儲器件 利用某些非晶半導體的結構轉變來記錄和存儲信息的器件。這類器件主要有電可改寫的唯讀存儲器和光存儲器。電可改寫的唯讀存儲器 某些 硫系材料（如Ge-Te-As- Si）可以在不同的電脈衝的作用下由...
圖5是相變存儲器的器件結構圖。相變存儲器的結構主要分為三層：從上到下分別為上電極（Top Electrode），具有相變特性材料的中間層和下電極（BottomElectrode），可以為金屬薄膜或半導體材料。PRAM 器件具有非常簡單的 M-I-M 或 M-I-S 結構，只要在器件兩端施加不同的電脈衝，就可以使得相變薄膜材料在晶態與非晶態...
Flash存儲器屬，記憶體器件的一種，是一種非易失性（ Non-Volatile ）記憶體。簡要介紹 產品簡介 在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。NAND 快閃記憶體的存儲單元則採用串列結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁...
半導體晶片的製造材料 為了滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測並且穩定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶格的位錯（dislocation）、孿晶面（twins）或是堆垛層錯（stacking fault）都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體器件而言，材料晶格的缺陷（晶體缺陷）...
存儲器 巨磁電阻材料的出現，使得MRAM作為計算機記憶體晶片的構想自然被提出，用於取代體積大速度慢的磁芯隨機存儲器。MRAM結構是採用納米技術，把沉積在基片上的GMR薄膜或TMR薄膜製成圖形陣列，形成存儲單元，以相對的兩磁性層的平行磁化狀態和反平行磁化狀態分別代表信息“1”和“0"。結構如圖3所示。若將上下兩層導線通...
內部存儲器（簡稱記憶體）主要存儲計算機當前工作需要的程式和數據，包括高速緩衝存儲器（Cache，簡稱快取）和主存儲器。目前構成記憶體的主要是半導體存儲器。外部存儲器（簡稱外存）主要有磁性存儲器、光存儲器和半導體存儲器三種實現方式，存儲介質有硬磁碟、光碟、磁帶和移動存儲器等。現代計算機系統多級存儲體系結構如圖6-1...
電容結構，由於尺寸限制，在IC上只能產生很小的電容。更為少見的電感結構，可以製作晶片載電感或由迴旋器模擬。因為CMOS設備只引導電流在邏輯門之間轉換，CMOS設備比雙極型組件（如雙極性電晶體）消耗的電流少很多。透過電路的設計，將多顆的電晶體管畫在矽晶圓上，就可以畫出不同作用的積體電路。隨機存取存儲器是最...
主存儲器是按地址存放信息的，存取速度一般與地址無關。32位（比特）的地址最大能表達4GB的存儲器地址。這對多數套用已經足夠，但對於某些特大運算量的套用和特大型資料庫已顯得不夠，從而對64位結構提出需求。發展簡介 主存儲器一般採用半導體存儲器，與輔助存儲器相比有容量小、讀寫速度快、價格高等特點。計算機中...
半導體製程有點像是蓋房子，分成很多層，由下而上逐層依藍圖布局迭積而成，每一層各有不同的材料與功能。隨 著功能的複雜，不只結構變得更繁複，技術要求也越來越高。與建築物最不一樣的地方，除了尺寸外，就是建築物是一棟一棟地蓋，半導體技術則是在同一片晶片或同一批生產過程中，同時製作數百萬個到數億...
為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響，半導體器件的基體材料一般採用單晶體。單晶製備一般可分大體積單晶(即體單晶)製備和薄膜單晶的製備。體單晶的產量高，利用率高，比較經濟。但很多的器件結構要求厚度為微米量級的薄層單晶。由於製備薄層單晶所需的溫度較低，往往可以得到質量...
書中較仔細地分析了目前正在研製的幾種半導體存儲器的電路結構，具體地介紹了半導體存儲器測試設備的核心——測試圖案發生器。該書目可供從事積體電路和計算機研製工作並具有計算機與積體電路基本知識的科技人員閱讀，也可供大專院校有關專業的師生參考。圖書目錄 序 前言 目錄 第一章 半導體存儲器 第二章 存儲單元 第...
隨著半導體技術逐漸逼近矽工藝尺寸極限，摩爾定律原導出的規律將不再適用。對馮·諾依曼計算機體系結構缺陷的分析：（1）指令和數據存儲在同一個存儲器中，形成系統對存儲器的過分依賴。如果儲存器件的發展受阻，系統的發展也將受阻。（2）指令在存儲器中按其執行順序存放，由指令計數器PC指明要執行的指令所在的單元地址...
三位研究人員因其在半導體領域的突出貢獻，於 1956 年被授予諾貝爾物理學獎。因為受到當時薄膜電晶體製備工藝的限制，美國無線電公司實驗室的 Weimer 在 1962 年使用多晶 CdS 薄膜作為溝道層成功製備了第一個真正的薄膜電晶體，Weimer 製備的 TFT 器件結構為頂柵底接觸，選擇用 SiO2 材料作為 TFT 絕緣層，Au 作為...
④支持更為廣泛的存儲器型號。通過對FSMC的時間參數設定，擴大了系統中可用存儲器的速度範圍，為用戶提供了靈活的存儲晶片選擇空間。⑤支持代碼從FSMC擴展的外部存儲器中直接運行，而不需要首先調入內部SRAM。FSMC內部結構 STM32微控制器之所以能夠支持NOR Flash和NAND Flash這兩類訪問方式完全不同的存儲器擴展，是因為...
SDRAM是多Bank結構，例如在一個具有兩個Bank的SDRAM的模組中，其中一個Bank在進行預充電期間，另一個Bank卻馬上可以被讀取，這樣當進行一次讀取後，又馬上去讀取已經預充電Bank的數據時，就無需等待而是可以直接讀取了，這也就大大提高了存儲器的訪問速度。為了實現這個功能，SDRAM需要增加對多個Bank的管理，實現控制...