《半導體存儲器件及其製造方法》是三星電子株式會社於2020年9月27日申請的專利，該專利公布號為CN112992902A，專利公布日為2021年6月18日，發明人是孫龍勛、金哉勛、朴光浩、鄭承宰。
基本介紹
- 中文名：半導體存儲器件及其製造方法
- 申請日：2020年9月27日
- 公布日：2021年6月18日
- 公布號：CN112992902A
- 申請人：三星電子株式會社
- 申請號：2020110369107
- 地址：韓國京畿道
- 發明人：孫龍勛; 金哉勛; 朴光浩; 鄭承宰
- Int. Cl.：H01L27/108(2006.01)I
- 專利代理機構：中科專利商標代理有限責任公司11021
- 代理人：倪斌
- 優先權：10-2019-0168208 2019.12.16 KR
專利摘要
公開了半導體存儲器件，包括：堆疊結構，包括豎直堆疊在襯底上的多個層，每個層包括半導體圖案、在該半導體圖案上沿第一方向延伸的柵電極以及電連線到該半導體圖案的數據存儲元件；多個豎直絕緣體，穿透堆疊結構，該豎直絕緣體沿第一方向布置；以及位線，設定在堆疊結構的一側處並豎直延伸。位線將堆疊的半導體圖案電連線。豎直絕緣體中的每一個包括彼此相鄰的第一豎直絕緣體和第二豎直絕緣體。柵電極包括設定在第一豎直絕緣體與第二豎直絕緣體之間的連線部分。
