《p型二氧化錫薄膜的製備及其性質研究》是依託山東大學，由計峰擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：p型二氧化錫薄膜的製備及其性質研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：計峰
- 依託單位：山東大學
- 批准號：50672053
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：32（萬元）
中文摘要
分別選取鋁、鎵、銦、氮、磷、鋰等作為摻雜元素，利用雷射分子束外延法（L-MBE）製備單元素摻雜的p型氧化錫薄膜。研究薄膜的透過率、光學帶隙、雜質能級結構及載流子濃度、遷移率等參數與工藝條件、摻雜元素種類、摻雜濃度的變化關係，確定實現替位式摻雜及激活摻雜原子的工藝條件。研究退火等後處理工藝對薄膜結構及電學性質的影響，確定最佳的工藝條件。通過分析摻雜原子的電子結構及化學性質，確定待選的共摻雜元素。利用
