銦砷化鎵（InGaAs），半導體常用材料，電子在InGaAs中的傳輸速度是矽的數倍。MIT的MTL（微系統實驗室）最近演示了用InGaAs製作的電晶體，傳輸電流是最先進的矽電晶體的2.5倍。而InGaAs電晶體的尺寸僅僅為60納米。InGaAs電晶體的優點是能夠減少晶片尺寸，提高信息處理的速度.廣泛用於探測器!
