igfet，英語單詞，主要用作為縮寫詞，用作縮寫詞譯為“絕緣柵場效應電晶體”。
絕緣柵型場效應管（IGFET，Insulated Gate Field Effect Transister）也稱金屬氧化物半導體場效應管（Metal Oxide Semiconductor FET，簡寫為MOSFET），通常說的MOS管就是指絕緣柵型場效應管。簡介 絕緣柵型場效應管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效應管依照其溝道極性的不同...
絕緣柵場效[應]電晶體 絕緣柵場效[應]電晶體（insulated gate field effect tran- sistor，IGFET）是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》。
一、IGFET和IGBT的結構和導電機理32 二、IGBT與IGFET的不同33 第二節 IGFET和IGBT的靜特性34 一、輸出電壓34 二、IGFET和IGBT作為硬開關時的開關特性34 第三節 作為開關使用的二極體36 一、二極體的轉態限制了工作頻率fs的提高36 二、寄生二極體的作用36 三、幾種二極體的比較36 第四節 功率模組37 一、結構37...
金氧半場效電晶體在概念上屬於“絕緣柵極場效電晶體”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET）。而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽柵極的場效電晶體組件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。金氧半場效電晶體里的...
金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣柵極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET）。而絕緣柵極場效電晶體的柵極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽柵極的場效電晶體組件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。金氧半場效...
金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣柵極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET）。而絕緣柵極場效電晶體的柵極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽柵極的場效電晶體組件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。金氧半場效...
金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣柵極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET）。而絕緣柵極場效電晶體的柵極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽柵極的場效電晶體組件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。金氧半場效...
一、垂直式導電的IGFET（IGBT）的結構和導電機理31 二、IGBT與IGFET的不同32 第二節IGFET和IGBT的靜特性33 一、電壓、電流33 二、IGFET和IGBT作為硬開關時的開關特性33 第三節作為開關使用的二極體35 一、二極體的轉態限制了工作效率fs的提高35 二、寄生二極體的作用35 三、幾種二極體的比較35 第四節功率模組36...
