iCMOS

美國模擬器件公司（ADI）開發成功了可承受電壓達30V、設計規格為0.6μm的超微細半導體製造工藝。該技術名為“iCMOS工藝技術”。主要用於生產面向需要承受高電壓的產業設備和醫療設備等的模擬IC。

基本介紹

• 外文名：iCMOS
• 設計規格：1μm～3μm
• 優點：減少耗電、減小晶片面積
• 開發公司：美國模擬器件公司

此前，生產可承受30V高壓的模擬IC晶片，需要採用設計規格為1μm～3μm的Bipolar-CMOS技術。而採用此次的iCMOS工藝技術，與此前相比可減少耗電、減小晶片面積，還可實現高速運行等。因為具有以上優良性

能，ADI計畫在面向產業設備和醫療設備的模擬IC生產領域，全面推進由此前的Bipolar-CMOS技術向iCMOS工藝技術的過渡。還同時宣布採用該技術生產15種產品

該公司在發表iCMOS工藝技術的同時，還宣布將採用該技術生產15種模擬IC產品。包括運算放大器、A-D轉換器、D-A轉換器、轉換器和多路復用器等（本文最後的部分有介紹）。每款產品都在±5V或±15V等高電壓下運行。

因為iCMOS工藝技術為0.6μm的微細設計規格，所以不僅可減小晶片面積、對外圍電路進行集成，截止頻率fT也高達1GHz。比如說，採用iCMOS技術製造的A-D轉換器與同類產品相比，耗電量可減少25%～40%，成形速度也可達此前的5倍左右。

目前，半導體業界的技術開發出現了面向數字家電一邊倒的有趣現象。不過，ADI表示：“我們一貫重視面向產業設備的耐高壓模擬IC的技術開發，今後仍將繼續努力”（該公司PrecisionConverters生產線主任MikeBritchfield）。ADI還計畫根據市場需求，將iCMOS工藝技術套用到面向特定用途的半導體產品（ASSP：ApplicationSpecificStandard Product）的生產中。不過，目前還沒有接受採用iCMOS工藝技術的定製IC的訂貨計畫。

採用iCMOS工藝技術的新產品（部分）如下：D-A轉換器IC“AD5764”——輸入數位訊號的分解能力為16位，輸出信號的電壓範圍為±10V。A-D轉換器IC“AD7328”——輸入信號的分解能力為12位，量子化分解能力為12位。運算放大器“AD8661”——最大可增壓至16V（±8V）運行。轉換器和多路復用器“ADG12xx”——每個磁軌容量為2pF，最大導通電阻僅為5Ω。