基本介紹
- 中文名：DDR記憶體
- 外文名：DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM
- 公司：三星公司
- 提出時間：1996年
簡介,工作原理,存取時間,CAS的延遲時間,
簡介
DDR是21世紀初主流記憶體規範，各大晶片組廠商的主流產品全部是支持它的。DDR全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR的標稱和SDRAM一樣採用頻率。截至2017年，DDR運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由於DDR記憶體具有雙倍速率傳輸數據的特性，因此在DDR記憶體的標識上採用了工作頻率×2的方法，也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些記憶體生產廠商為了迎合發燒友的需求，還推出了更高頻率的DDR記憶體。其最重要的改變是在界面數據傳輸上，他在時鐘信號的上升沿與下降沿均可進行數據處理，使數據傳輸率達到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至於定址與控制信號則與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳送。
工作原理
DDR SDRAM模組部分與SDRAM模組相比，改為採用184針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣接口則由「LVTTL」改變為「SSTL2」。在其它組件或封裝上則與SDRAM模組相同。DDR SDRAM模組一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模組並不兼容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDR SDRAM則是以數據傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實與 PC1600 是相同的規格，數據傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s)，而 DDR266與PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。
DDR SDRAM 在規格上按信號延遲時間(CL；CAS Latency，CL是指記憶體在收到訊號後，要等待多少個系統時鐘周期後才進行讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看記憶體顆粒的原始設定值，否則會造成系統的不穩定)也有所區別。按照電子工程設計發展聯合協會（JEDEC）的定義(規格書編號為JESD79)：DDR SDRAM一共有兩種CAS延遲，分為2ns以及2.5ns(ns為十億分之一秒)。較快的 CL= 2 加上 PC 2100 規格的 DDR SDRAM稱作 DDR 266A，而較慢的 CL= 2.5 加上PC 2100規格的DDR SDRAM 則稱作 DDR 266B。另外，較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面則是沒有特別的編號。
它代表了記憶體所能穩定運行的最大頻率。市場上看到的DDR記憶體有DDR533、DDR667、DDR800和DDR1333等。
