DDR4記憶體

DDR4記憶體是新一代的記憶體規格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4記憶體。

DDR4相比DDR3最大的區別有三點：16bit預取機制（DDR3為8bit），同樣核心頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規範，數據可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節能。

基本介紹

• 中文名：DDR4記憶體
• 時間：2011年1月4日
• 創始：三星電子
• 區別：16bit預取機制

第一款樣品

三星電子2011年1月4日宣布，已經完成了歷史上第一款DDR4DRAM規格記憶體條的開發，並採用30nm級工藝製造了首批樣品。

數據規格

DDR4記憶體的標準規範仍未最終定奪。三星這條樣品屬於UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑藉新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下，DDR3記憶體的標準頻率最高僅為1600MHz，運行電壓一般為1.5V，節能版也有1.35V。僅此一點，DDR4記憶體就可以節能最多40%。

根據此前的規劃，DDR4記憶體頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。

三星表示，這條DDR4記憶體使用了曾出現在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”(虛擬開漏極)技術，在讀取、寫入數據的時候漏電率只有DDR3記憶體的一半。

三星稱，2010年12月底已經向一家控制器製造商提供了這種DDR4記憶體條的樣品進行測試，並計畫與多家記憶體廠商密切合作，幫助JEDEC組織在2011年下半年完成DDR4標準規範的制定工作，預計2012年開始投入商用。