DDR4 模組的速度和記憶體頻寬最高即可達到 DDR3 技術剛發布時的兩倍（DDR3 的指標分別為 1066 MT/s 和 8.5GB/s，而 DDR4 的為 2133 MT/s 和 17GB/s），在技術成熟後預計會更快。Crucial DDR4 伺服器記憶體的工作電壓為 1.2V，與 DDR3 剛問世時的 1.5V 相比，電壓降低最高可達 20%。此外，當和其他與 DDR4 同期引入的技術結合時，Crucial DDR4 伺服器記憶體可比上一代 DDR3 記憶體節能高達 40%。Crucial DDR4 伺服器記憶體為將來基於 Intel® Xeon® 處理器 E5-2600 v3 產品系列的系統進行了最佳化。
基本介紹
- 中文名：美光DDR4
- 外文名：DDR4
美光DDR4具有REG功能,DDR4與DDR3區別解析,
美光DDR4具有REG功能
另外，與DDR3系列記憶體相比，它還具有以下特點：
●增加數據吞吐量，記憶體頻寬增加多達50%
●支持高達兩倍的已安裝伺服器記憶體容量
●減少功耗，能效提高多大40%
●系統冷卻更有效，每個模組產生的熱量更低
●最適合今後推出的Intel Xeon E5-2600 v3產品系列
●兼容OEM伺服器
DDR4與DDR3區別解析
頻率和頻寬提升巨大
DDR4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。DDR4記憶體的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的頻寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70%。在DDR在發展的過程中，一直都以增加數據預取值為主要的性能提升手段。但到了DDR4時代，數據預取的增加變得更為困難，所以推出了Bank Group的設計。
容量劇增 最高可達128GB
3DS(3-Dimensional Stack，三維堆疊)技術是DDR4記憶體中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆晶片的容量。
3DS技術最初由美光提出的,它類似於傳統的堆疊封裝技術，比如手機晶片中的處理器和存儲器很多都採用堆疊焊接在主機板上以減少體積—堆疊焊接和堆疊封裝的差別在於，一個在晶片封裝完成後、在PCB板上堆疊;另一個是在晶片封裝之前，在晶片內部堆疊。一般來說，在散熱和工藝允許的情況下，堆疊封裝能夠大大降低晶片面積，對產品的小型化是非常有幫助的。在DDR4上，堆疊封裝主要用TSV矽穿孔的形式來實現。
所謂矽穿孔，就用雷射或蝕刻方式在矽片上鑽出小孔，然後填入金屬聯通孔洞，這樣經過矽穿孔的不同矽片之間的信號可以互相傳輸。而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。
更低功耗 更低電壓
更低的電壓：這是每一代DDR進化的必備要素，DDR4已經降至1.2V
首先來看功耗方面的內容。DDR4記憶體採用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，溫度補償自刷新，主要用於降低存儲晶片在自刷新時消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，溫度補償自動刷新，和T CSE類似)、DBI(Data Bus Inversion，數據匯流排倒置，用於降低VDDQ電流，降低切換操作)等新技術。
支持下一代處理器威剛DDR4記憶體曝光
威剛正式宣布了自己的首批DDR4記憶體產品，威剛首發的DDR4並不多，只有標準的伺服器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，額定頻率也是2133MHz，電壓1.2，產品編號AD4R2133W4G15、AD4R2133Y8G15、AD4R2133Y16G15。
不過威剛表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等類型也都正在研發之中，很快就會陸續推出。
這些記憶體都是供伺服器、工作站使用的，威剛也說他們一直在與Intel密切合作，其DDR4記憶體完全支持下一代伺服器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。
至於消費級的DDR4記憶體，誰也沒有任何訊息，不過Intel將在第三季度推出首個支持DDR4的桌面發燒平台Haswell-E，相信很快就會有新記憶體跟上。
2400MHz DDR4試產 美光DDR4大規模開工
威剛早些時候正式宣布了他們的首批DDR4記憶體產品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4記憶體已經大規模投產，並在逐步提高產量。
美光表示，量產採用的是4Gb DDR4記憶體顆粒，標準頻率為2133MHz，並特別與Intel合作，針對將在下半年發布的下一代伺服器平台Xeon E5-2600 v3進行了最佳化。
已經發布的DDR4記憶體頻率都只有2133MHz，這其實是DDR3也可以輕鬆達到的高度，自然不能凸顯新記憶體的優勢。美光稱，2400MHz DDR4正在試產，預計2015年正式投產。
美光還透露，他們將陸續推出符合JEDEC DDR4標準的完整產品線，涵蓋RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各種規格，ECC也可選有無，到第三季度初還會增加NVDIMM。
窄條兼容性強 Virtium發布DDR4記憶體
DDR4記憶體終於全面開花結果了。嵌入式存儲廠商Virtium今天也推出了他們的DDR4產品，而且非常特殊，首次採用了ULP超小型規格，高度只有區區17.8毫米(0.7英寸)。
DDR4 DIMM記憶體的標準高度為31.25毫米，稍稍高於DDR3 30.35毫米，而在筆記本上的SO-DIMM高度為30毫米，針對高密度伺服器的VLP甚小型規格只有18.3-18.7毫米(0.72-0.738英寸)。
ULP則是所有類型中最為小巧的，只有標準型的一半多，適用於空間狹窄的嵌入式領域。
Virtium ULP DDR4記憶體也是伺服器型的URIMM，單條容量4GB(單Rank)、8GB(雙Rank)、16GB(雙Rank)，標準頻率2133MHz，標準電壓1.2V，標準耐受溫度範圍0～85℃，擴展/工業耐受溫度範圍-25/-40～95℃，五年質保。
Virtium表示，這種記憶體已經經過了客戶的測試和驗證，即將批量供貨。
DDR4變活躍三星加速投產DDR4記憶體顆粒
和威剛、美光一樣，三星也特別提到了Intel將在下半年發布的新一代伺服器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，稱自家的DDR4記憶體就是為該平台準備的。
三星已經量產的DDR4記憶體都是單Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同晶片封裝規格，單條容量最高32GB，頻率是標準的2133MHz，規格涵蓋RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。
