能帶偏移描述了半導體異質結中能帶的相對排列。
能帶偏移
描述了半導體異質結能帶的相對偏移量，如圖1中ΔEc和ΔEv。
但是對與量子阱（圖2）或是超晶格（圖3）來說，勢阱中的能級出現量子化，比如圖2中的分立能級，載流子不再局限於導帶底（Ec）和價帶頂（Ev），此時的能帶偏移量ΔEc以不再等於qΦb，而是有所減小；同理ΔEv。
圖 1 異質結
圖 1 異質結對於超晶格結構，分立的子能級形成連續的能帶結構，如圖3中的陰影線所示，相鄰勢阱的能帶相互貫通，已無所謂的能級偏移。
圖 2 量子阱
圖 3 超晶格