ZnSe/MgSSe超晶格的激子行為研究

《ZnSe/MgSSe超晶格的激子行為研究》是依託南昌大學，由江風益擔任項目負責人的地區科學基金項目。

基本介紹

• 中文名：ZnSe/MgSSe超晶格的激子行為研究
• 項目類別：地區科學基金項目
• 項目負責人：江風益
• 依託單位：南昌大學
• 批准號：69566001
• 申請代碼：F0401
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：1996-01-01 至 1999-06-01
• 支持經費：8（萬元）

項目摘要

使用MOCVD技術生長了硒化鎂和硫化鎂薄膜材料。研究結果表明，它們的相結構強烈地依賴於生長溫度和襯底取向。高溫生長易出現NaCl結構，低溫生長易出現閃鋅礦右纖鋅礦結構。在550℃獲得NaCl結構硫化鎂單晶膜；在650℃獲得NaCl結構硒化鎂單晶膜；在270-340℃生長出纖鋅礦結構的硫化鎂薄膜；在260-600℃生長的是閃鋅礦或纖鋅礦結構或兩相共存的硒化鎂薄膜；實驗準確地測量到纖鋅礦結構硫化鎂和閃鋅礦結構硒化鎂的晶格常數；在取向不同的襯底上生長的薄膜的相結構或結晶特性有較大差異。