《MOCVD生長ZnSe/MgS超晶格的研究》是依託南昌大學，由江風益擔任項目負責人的地區科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：MOCVD生長ZnSe/MgS超晶格的研究
- 項目類別：地區科學基金項目
- 項目負責人：江風益
- 依託單位：南昌大學
- 批准號：59562001
- 研究期限：1996-01-01 至 1998-12-31
- 支持經費：7（萬元）
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：教授
項目摘要
為生長鎂基半導體薄膜材料，本項目設計和加工了一種特殊的MOCVD反應器，對鎂源的輸運作了特殊處理，克服了鎂源（二茂鎂）蒸氣壓很小，通常只用作摻雜劑的不足以及鎂源在MOCVD生長過程中氣相副反應很嚴重的缺點，成功地生長了MgS和MgSe薄膜材料。在80多種二元化合物中處於臨界狀態的MgS和MgSe，可出現多種相結構（NaCl結構，纖鋅礦結構和閃鋅礦結構）的理論預言，在本項目實驗中得到證實。本項目用MOCVD方法，通過最佳化生長工藝，可控制所生長的薄膜材料的相結構。
