ThyristorRAM ( T-RAM ) is a new (2009) type of DRAMcomputer memory invented and developed by T-RAM Semiconductor , which departs from the usual designs of memory cells, combining the strengths of the DRAM and SRAM : high density and high speed.可控矽RAM（T-RAM）是一種新的（2009）的DRAM電腦記憶體的類型和開發的T-RAM半導體 ，強強聯手，DRAM和SRAM的存儲單元，從通常的設計出發：高密度，高速度。
基本介紹
- 中文名：可控矽
- 外文名：ThyristorRAM ( T-RAM )
定義,概念,優點,可靠性,
定義
這項技術，它利用被稱為負微分電阻特性的電特性，和被稱為薄膜電容耦合的晶閘管，用於創建的存儲單元，能夠非常高的填充密度。由於這個原因，存儲器中是高度可擴展的，並且已經有一個高出幾倍發現在傳統的六電晶體SRAM存儲器的存儲密度。據預計，下一代的T-RAM存儲器，將具有相同的密度DRAM。
.據推測，這種類型的記憶體將被用於下一代處理器的AMD ，在32nm和22nm ，取代先前的授權，但使用Z-RAM技術。 Xandores CPCARM正在努力開發這種技術。
概念
晶閘管，高密度的“鎖存”
.6T-SRAM相似，使用晶閘管提供了一個積極的回饋非常大的位單元操作利潤的結果。不同的是，一個6T-SRAM的四個電晶體的CMOS鎖存被替換的PNP-NPN型的雙極型鎖存器的一個單一的晶閘管的移動設備，這極大地降低小區區域，可實現高密度的宏。.晶閘管鎖存器讀/寫操作期間激活檢測/改變其存儲的電荷，並保持在待機狀態下，提供低功耗操作。
優點
速度和密度的最佳組合
晶閘管-RAM宏提供的所有嵌入式記憶體解決方案的性能和密度之間的最高組合。甲可控矽RAM巨觀的匹配性能，同時提供高2至3倍巨觀密度和更低的功耗6T-SRAM。
可靠性
成熟的Manufacturabilty
T-RAM T-RAM半導體已交付完全製造的，採用高速嵌入式記憶體解決方案。經驗豐富的技術和電路記憶體開發商花了數百人，建立和最佳化TCCT™細胞和細胞陣列的最高產量超過晶圓廠處理的變化。其結果是產率是有限的，只有的RAM宏的外周，而不是由細胞本身。
多個測試晶片已被用於發展的能力的細胞和單元陣列。這些測試晶片已經發展到提供完整的同步SRAM的功能和完整的數據表的相容性與商業同步SRAM產品在市場上。已被證明的商業競爭力的收益率，這些產品的等效試驗車輛的可製造性。
TCCT™細胞的過程經過精心整合，以最大限度地提高性能，而無需改變或妥協的基礎技術。沒有新的材料或過程進行了介紹和只需要植入物以形成TCCT™。為了實現這種整合，成千上萬的晶圓處理開發過程中，確保了最高性能的一個大樣本的材料。
大信號噪聲比的TCCT™細胞有助於製造的T-RAM Semicondcutor的魯棒性技術。已經選擇了容忍的正常變化，導致高收率穩定的製造工藝變化的整個範圍內的細胞和陣列設計的其他方面。
TCCT™細胞和細胞陣列的可靠性，已被證明具有廣泛的可靠性測試，使用行業標準的方法。該技術已產生良好的可靠性標準的高速SRAM產品和有競爭力的結果，使嵌入式用戶生產出的產品具有高可靠性的記憶體。
