《SiGe納米材料熱電性質的緊束縛勢理論研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院，由李鵬飛擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：SiGe納米材料熱電性質的緊束縛勢理論研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：李鵬飛
- 依託單位：中國科學院合肥物質科學研究院
- 批准號：11604320
- 申請代碼：A2004
- 負責人職責：助理研究員
- 研究期限：2017-01-01 至 2019-12-31
- 支持經費：22（萬元）
項目摘要
在低維納米體系中實現電、聲輸運特性的協同調控從而最佳化熱電性能是當前熱電材料領域的一個重要研究方向。SiGe納米線以其熱導率低、載流子濃度高等優良特性而被視為未來最有套用前景的熱電材料之一。然而目前實驗上對於如何實現電、聲輸運特性的最優協同調控仍未能給出一個十分完整且可靠的方案。因此，開展SiGe納米線中電子、聲子輸運特性的機理研究對於相關的實驗研究具有十分重要的指導意義。本項目將以SiGe納米線為研究對象，以SiGe緊束縛勢模型結合非平衡態格林函式輸運理論為研究手段，系統研究其熱電性能。通過改變納米線中Si或Ge的濃度、核與殼的半徑、納米線表面的空位濃度以及生長方向等條件，研究納米線中電子電導、電子和聲子熱導以及Seebeck係數。最終得到納米線中電聲輸運特性隨著這些條件的變化規律，從而為實驗上通過實現電、聲輸運特性的最優協同調控來提高材料的熱電性能提供重要的理論指導。
