《STM-雷射誘導納米尺度上的電聚合及原位表征方法》是依託廈門大學，由田中群擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：STM-雷射誘導納米尺度上的電聚合及原位表征方法
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：田中群
- 依託單位：廈門大學
- 批准號：29473126
- 申請代碼：B0205
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 支持經費：7（萬元）
項目摘要
首次採用AFM對高序石墨或AU（Ⅲ）電極在電化學條件下對表面進行針尖誘導吡咯或苯胺的局域電聚合，發現針尖在不同條件下對局域電聚合具有增強和掃降兩種截然不同的效應，能過正確選擇條件可提高誘導納米加工的成功率，並形成不同的圖案（如案文武平台和口字型），最小加工面積為100nm(2)，線條的最小直徑為50nm,還用STM誘導電沉積金和銀（最小沉積面積為20nm(2)）。實現雷射誘導聚吡咯和鄰苯二胺在玻碳和金電極上的電聚合以及雷射誘導鈷金屬電沉積，電聚合和電沉積的點或線尺度為2—6微米，圖案和字型皆羅清晰，達到國外報導的最小尺度，成功地研製了拉曼光譜與掃描隧道顯微鏡聯用系統，可實時現場獲得電化學體系的STM圖象和拉曼譜圖。
