基本介紹
- 中文名：SO-DIMM
- 外文名：Small Outline Dual In-line Memory Module
- 中文含義：小外形雙列記憶體模組”
簡介,外觀識別,200針SO-DIMM的變種,一般特徵,參見,
簡介
小外形雙列直插式記憶體模組（英語：small outline dual in-line memory module），通常簡稱為SO-DIMM或SODIMM，它是一種採用積體電路的計算機存儲器。SO-DIMM類似DIMM，但它的體積更小，大約是常規DIMM的一半。
外觀識別
大多數SO-DIMM的類型可直觀的通過不同的凹槽缺口識別，它們用於不同的平台：
- 100針SO-DIMM有兩個缺口。
- 144針SO-DIMM在中心附近有一個缺口。
- 200針SO-DIMM在更靠近一側處有一個缺口。此缺口的確切位置有差異（請見下文）。
- 204針SO-DIMM（DDR3）有比200針SO-DIMM的靠近中心的缺口更靠近中心的缺口。
- 260針SO-DIMM（DDR4），寬度69.6mm（2.74英寸） ，高度30mm（1.2英寸），這使它比DDR3 SO-DIMM高2mm（0.079英寸），在144針後有一個缺口。
- 260針SO-DIMM（UniDIMM），寬度69.6mm（2.74英寸），高度30mm（1.2英寸） or 20mm（0.79英寸），有一個與DDR3 SO-DIMM不同的缺口。
200針SO-DIMM的變種
200針SO-DIMM可以為DDR或DDR2類型。這兩種情況下，缺口位於板卡長度的五分之一處（20針+缺口80針），但在DDR2中該缺口位於靠近板卡中心的位置。這兩種類型的記憶體不能互換。不同的缺口位置是為防止較差安裝，同時幫助直觀地視覺識別200針SO-DIMM模組。
這種差異設計是為避免將電氣不兼容的不同DDR世代記憶體和控制器聯接。DDR SO-DIMM工作電壓為2.5 V，而DDR2 SO-DIMM則為1.8 V。
一般特徵
200和204針SO-DIMM長度為67.6mm（2.66英寸） 寬度為31.75mm（1.250英寸），最大總深度為3.8mm（0.15英寸）。
SO-DIMM在功率和電壓額定值上或多或少等同DIMM，並且儘管存儲器模組的尺寸較小，SO-DIMM技術並不會比較大的DIMM得到更低的性能。例如，DDR3 SO-DIMM提供例如533 MHz（1066 MT/s，PC3-8500）的時鐘速度，CAS深度例如為7，並且有單個模組4 GB的高容量。
DDR2 SO-DIMM記憶體模組通常有200 MHz至400 MHz（PC2-6400）的時鐘速度。204針SO-DIMM也可以包含DDR3 SDRAM，規格如PC3-6400、PC3-8500、PC3-10600、PC3-14900和PC3-17000。260針UniDIMM可能包含DDR3或DDR4 SDRAM，這取決於其配置。部分SO-DIMM也提供ECC功能；無緩衝的ECC SO-DIMMs稱為SO-CDIMM。
