RDROM，它採用基於CMOS工藝，每片RDRAM 晶片在9bit寬的數據通道上實現了500Mb/s的傳輸速率。它是標準VRAM(Video RAM)速率的3-5倍，是標準DRAM的速率的5-15倍。目前RDRAM有兩種類型晶片：8/9Mbit(1Mbyte)容量的晶片和16/18Mbit(2Mbyte)容量的晶片，其時鐘頻率均為250MHZ。RDRAM的高速得益於其晶片的特殊結構，該結構被分為三層：核心層(Core Layer)、邏輯層(Logic Layer)和物理層(Physical Layer)。
RDROM
RDROM(Rambus DRAM)是美國Rambus公司發明的存儲技術
