RCA(化工標準工藝)

RCA是一項標準工藝，通常只在晶圓裸片和矽上有薄氧化層時使用。

典型的RCA清洗包括以下步驟：

SPM去除有機物，它主要是以硫酸的強氧化性來破壞有機物中的碳氫鍵，通常在130°左右以4：1的比例浸泡待測樣品。有機物也經常在氧化/緩衝的環境中被去除，典型的溶液是氨水、過氧化氫和水按1：1：5的體積比例混合的APM溶液，在70~80°的溫度下，它們的化學反應能力強，不但能去掉模版及襯底上沾染的有機化合物，還能溶解掉一些元素周期表中IB和IIB族的金屬元素，並降低表面的粗糙度。而鹽酸、過氧化氫和水以一定的比例混合而成的HPM溶液，在75~80°的環境中，可以將石英或矽片上的重鹼離子及陽離子去除。