NMDAR基因多態性與微波輻射致學習記憶障礙的關聯性研究

《NMDAR基因多態性與微波輻射致學習記憶障礙的關聯性研究》是依託中國人民解放軍軍事科學院軍事醫學研究院，由胡向軍擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：NMDAR基因多態性與微波輻射致學習記憶障礙的關聯性研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：胡向軍
• 依託單位：中國人民解放軍軍事科學院軍事醫學研究院

中文摘要

隨著接觸微波輻射的暴露人群越來越多，其輻射生物效應日益受到關注，因此尋找微波輻射損傷敏感的預測和監測指標成為亟待解決的問題。微波輻射可引起學習記憶能力的降低，其機制是目前研究的熱點。NMDAR在突觸可塑性和學習記憶中起重要的作用，其中NR1是其組成的必須單位，NR2B是其重要的功能亞基，因此本項申請以NMDAR為候選基因，通過檢測空間和非空間學習記憶能力建立長期微波輻射大鼠學習記憶障礙模型，並劃分學習記憶障礙等級；確定NR1和NR2B基因啟動子區的SNP位點是否在群體水平與微波輻射致學習記憶障礙的發生風險具有相關性，並進一步在分子、細胞和組織水平系統研究上述關聯的SNPs與NMDAR基因的功能，探討其與學習記憶障礙發生的關係及其機制。本研究通過尋找與微波輻射後學習記憶障礙發生密切相關的敏感預測指標，可為微波輻射的防護以及將來套用於微波輻射接觸人群奠定基礎。

結題摘要

隨著電子電氣設備的廣泛套用，人們對微波的生物效應問題愈發重視，中樞神經系統是微波輻射敏感的靶器官之一，流行病學調查顯示，微波輻射可引起疲勞、頭痛、激動、多夢、記憶力下降等症狀。因此，尋找微波輻射損傷敏感的預測和監測指標對於微波輻射接觸人群的防診治極其重要。微波輻射參數以及影響的環境複雜多樣，微波暴露人群個體敏感性各有差異，微波輻射人群腦結構和功能異常的發生風險及其與機體的遺傳因素之間的關係需要關注。NMDA受體是中樞神經系統最重要的興奮性胺基酸受體之一，在學習記憶過程中發揮非常重要的作用，且其改變參與了微波輻射致學習記憶障礙的過程。因此，研究NMDAR基因是否存在多態性，及其與輻射致腦結構和功能改變是否存在相關性，對於尋找與微波輻射致學習記憶障礙密切相關的敏感預測和監測指標，具有極其重要的現實意義。 本研究主要包括NMDA受體啟動子區SNP位點發掘，SNPs位點基因分型，SNPs位點與微波輻射致學習記憶障礙的關聯分析以及SNPs位點基因功能研究四個方面。 本研究對NR1和NR2B啟動子區SNP位點進行發掘，在NR2B核心啟動子區705bp中首次發現1個SNP位點，為-217位C/T 多態，可分為CC、CT、TT 3種基因型。-217C/T不同的等位基因所在序列的結合位點不同，C等位含3個Hb、1個HSF和1個C-ETs-轉錄結合元件，T等位含4個Hb和1個HSF轉錄結合元件，不同的等位基因所在序列的結合位點是不同的，提示該SNP可能與NR2B的基因轉錄、翻譯、表達和調控以及信號通路的改變密切相關。該位點CC型參與了微波輻射後腦損傷和修復的過程，且以保護作用為主；CT型和TT型主要參與輻射損傷的過程，提示遺傳因素可能與微波輻射致腦功能異常的敏感性密切相關。功能研究發現該位點可能位於轉錄因子結合位點中，該鹼基的改變對NR2B的轉錄和翻譯水平均有明顯影響，T等位影響更為顯著。而且NR2B-217位點的不同基因型在微波輻射所致神經細胞損傷中發揮不同的作用，C等位以保護作用為主，T等位以損傷作用為主。 因此本研究中挖掘到的NR2B核心啟動子區705bp的SNP位點在NR2B正常功能的發揮以及在微波輻射條件下腦功能異常和神經細胞損傷中均具有重要作用，可作為微波輻射學習記憶障礙的潛在風險評估指標。但該指標的套用尚需大量微波輻射人群樣本的驗證，仍需進一步深入研究。