MeV重離子注入光學晶體光波導的形成機理研究

《MeV重離子注入光學晶體光波導的形成機理研究》是依託山東大學,由王雪林擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:MeV重離子注入光學晶體光波導的形成機理研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:王雪林
  • 依託單位:山東大學
  • 負責人職稱:教授
  • 批准號:10575067
  • 研究期限:2006-01-01 至 2008-12-31
  • 申請代碼:A3003
  • 支持經費:30(萬元)
中文摘要
離子注入光電晶體可以通過調製材料近表面的折射率改變而形成光波導,是一種光電晶體光波導形成的有效方法。MeV重離子低劑量的方法形成波導區折射率增加型光波導即具有擴散、離子交換光波導的傳輸損耗相對小一些的優點,又兼具離子注入形成的光波導的優點,是一種有著潛在套用背景的新方法、新模式。本項目將在MeV重離子注入光電晶體波導結構的基礎上,研究波導層的導模特性,通過離子束刻蝕等方法進行有控制的分層減薄,利用SIMS、背散射/溝道、高分辨電鏡、Raman光譜等綜合技術研究波導層的晶格結構變化,研究注入條件與折射率改變的關係,尋找出規律,建立注入條件與波導特性的理論模型,繼而在更多的晶體上進行驗證,進一步修正完善其理論模型。重離子低劑量注入光電晶體波導的機理探討,不但完善了離子注入光電晶體光波導的形成機理,還為離子注入形成波導結構提供理論基礎,對於波導結構的設計與套用也具有重要的意義。

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