MOS VLSI分析與設計

內容簡介

本書對MOS數字超大規模積體電路和模擬積體電路設計的基本原理進行了系統的分析，給出了實用的、典型的數字積體電路和模擬積體電路的分析方法和設計方法，介紹了目前流行的設計技術——ASIC設計技術、CAD技術、可測性設計技術、可靠性設計技術。

本書適用於從事MOS積體電路設計、套用開發的工程技術人員，也可作為高等院校微電子專業、半導體專業教師和研究生的技術參考書。

圖書目錄

第1章 VLSI工藝技術
1．1 MOS工藝發展概況
1．2 NMOS工藝技術
1．3 CMOS工藝技術
第2章 MOS電晶體
2．1 MOS電晶體結構與工作原理
2．2 MOS器件電流電壓方程
2．3 MOS電晶體器件參數
2．4 小尺寸MOS器件
2．5 MOS電晶體模型
2．6 等比例縮小原理
2．7 MOS電晶體限制
第3章版圖設計
3．1 設計規則
3．2 Stick圖
3．3 版圖設計
3．4 版圖驗證
第4章數字電路設計基礎
4．1 MOS反相器靜態特性
4．2 MOS反相器瞬態分析
4．3 MOC舊反相器最佳設計
4．4 驅動大電容負載的最佳延遲時間
4．5 延遲模型
4．6 功耗估算
第5章 MOS數字電路
5．1 NMOS基本邏輯電路
5．2 CMOS基本邏輯電路
5．3 VLSI CMOS邏輯組態
5．4 加法器和乘法器
5．5 規則邏輯結構
5．6 ROM
5．7 RAM
5．8 時鐘電路
5．9 CPU電路
第6章 MOS模擬積體電路
6．1 MOS電晶體小信號模型及其等效電路
6．2 基本的MOS模擬電路
6．3 CMOS運算放大器
6．4 動態模擬電路
6．5 A/D轉換器電路
6．6 開關電容濾波器
第7章 ASIC設計技術
7．1 VLSI與ASIC
7．2 門陣列設計技術
7．3 雷射門陣列技術
7．4 標準單元設計技術
7，5 積木塊設計技術
7．6 可程式邏輯器件(PLD)
7．7 片上系統集成(SOC)技術
第8章 IC CAD技術
8．1 VHDL和邏輯綜合
8．2 邏輯模擬和電路模擬
8．3 版圖設計與驗證
8．4 ASIC EDA技術
8．5 單元庫建庫
第9章可測性設計(DFT)技術
9．1 可測性設計的基本概念
9．2 分塊測試技術
9．3 掃描測試技術
9．4 自測試技術
9．5 邊界掃描技術
第10章可靠性設計技術
10．1 可靠性設計物理
10，2 抗靜電設計
10．3 提高電路可靠性的設計規則和設計方法
10．4 抗輻照設計技術
10．5 電路可靠性設計技術
10．6 容錯設計技術

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