MCR型SVC無功補償裝置是用於電力無功變化迅速,電壓、無功、諧波需要控制或綜合治理的供用電場所的裝置。
適用範圍
介紹
每個單相磁閥式可控電抗器的結構如上圖所示,採用四柱式結構,由兩個等截面的主鐵心和為使電抗器的電流正負半波對稱的兩個等截面旁軛組成,旁軛的截面等於心柱的截面。中間兩柱的每柱中間部分有一段小截面的鐵心段構成磁閥,並將兩柱分別分為上下兩段,每段上各套有一個繞組,上段的上部兩個繞組端和下段的下部兩個繞組端分別並接在一起,上段的下部兩個繞組端和下段的上部兩個繞組端則交叉串聯連線,每柱上繞組的下部和下繞組的上部均設有中間抽頭,每柱上、下兩個中間抽頭間接有一支SCR(可控矽),且兩柱上的SCR極性相反,中間交叉連線點的兩端之間接有一支二極體。

基本原理
在電抗器的整個容量調節範圍內,僅有小截面段的鐵心磁路工作在飽和區,而大截面段始終工作於未飽和線性區。左圖為鐵心磁化曲線示意圖,曲線中間部分為未飽和線性區,左、右兩邊為極限飽和線性區。若使電抗器工作在極限飽和線性區,不僅可以減小諧波含量,同時亦能大幅減低鐵心磁滯損耗,電抗器鐵損控制在理想狀態。
右圖為電抗器外加交流電壓時的兩種工作狀態。當電抗器繞組接至電源電壓時,在可控矽T1、T2兩端感應出電壓。該電壓正半周觸發導通可控矽T1,在迴路中產生直流控制電流;電源電壓負半周期觸發導通可控矽T2,也在迴路中形成直流控制電流,使電抗器工作鐵心飽和,輸出電流增加。可控電抗器輸出電流大小取決於晶閘管控制角α,α越小,產生的控制電流越強,從而電抗器工作鐵心磁飽和程度越高,輸出電流越大。因此,改變晶閘管控制角,可平滑調節電抗器容量。
型號說明

電壓等級: 6、10、20、35、110kV
M:RMCR型SVC,即指磁閥式動態無功補償裝置
安裝地點:N-戶內(可省略)、W-戶外
技術參數
控制系統:全數字控制系統;
控制方式:無功功率;
調節方式:分相調節;
噪聲水平:<68分貝;
系統回響時間:20ms~60ms;
自身諧波含量小,3次諧波電流是額定基波電流的7%左右,5次諧波電流為2.5%左右;
無功調節範圍是0~100%,使用後的功率因數能達到0.92以上;
地震烈度: Ⅷ度;
使用年限:>20年。
功能特點
模組化設計,擴展靈活;
可控矽採用高質量元件,光電觸發,BOD保護,系統抗干擾強,運行可靠;
監控部分有上位監控機,人機顯示界面及其它的相應終端器件構成,可以對系統的電能質量進行實時、連續的監測;
可以直接運行於任何電壓等級電網且安裝簡單;
可實現三相同時控制,分相控制和三相平衡控制;
提供RS232、RS485以及CAN匯流排等通訊接口,便於實現遠程控制和無人值守;
具有硬保護和後備微機保護。