MBE分子束外延系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2007年1月16日啟用。
基本介紹
- 中文名:MBE分子束外延系統
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2007年1月16日
- 所屬類別:物理性能測試儀器 > 力學性能測試儀器 > 材料試驗機
MBE分子束外延系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2007年1月16日啟用。
MBE分子束外延系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2007年1月16日啟用。技術指標外延室真空6.6X10-8Pa,*。1主要功能薄膜樣品製備。1...
分子束外延(MBE)是新發展起來的外延制膜方法,也是一種特殊的真空鍍膜工藝。外延是一種製備單晶薄膜的新技術,它是在適當的襯底與合適的條件下,沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。該技術的優點是:使用的襯底溫度低,膜層生長...
分子束外延聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年9月21日啟用。技術指標 背景真空5E-10 mBar,可生長4寸樣品,可同時生長IV和III-V族材料。主要功能 具有IV族和III-V族雙腔的MBE系統,適用於外延生長III-V...
簡稱MBE法。分子束外延生長的原理及特點 分子束外延,就是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出後,沉積在溫度保持在幾百度的單晶基片上。如果設定幾個噴射爐,就可以製取...
分子束外延的設備較其他外延技術的設備複雜,要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看,當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體,而後是針對Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體,最近正轉向針對Si半導體器件...
本課題採用分子束外延生長(MBE)和掃描探針(SPM)聯合系統,結合理論計算和其他實驗方法,開展了矽(Si)襯底上ZnO材料的MBE生長及其動力學相關的研究,取得了一些初步成果和進展。 首先,我們採用MBE方法,控制溫度、壓力、處理過程等實驗參數...
金屬MBE是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的科學儀器,於2017年7月31日啟用。技術指標 1、真空度:進樣室>1*10-8pa,MBE>1*10-8pa2、manipulate:內外圈加熱器>900℃,且溫度分布均勻3、蒸發源:對於2個標準K-CELL源...
主要設備:石墨烯CVD系統、超高真空石墨烯外延系統、分子束外延系統(MBE)、雷射分子束外延系統等。人物經歷 2001年6月獲四川大學材料學博士學位,2001.7月-2005.1先後在中科院物理研究所、台灣清華大學從事博士後研究,2005.3-2008.5...
包括:4台分子束外延系統(MBE)(1新、3舊);各種穩態、時間分辨和非線性光譜系統(飛秒瞬態雷射光譜,拉曼光譜,付里葉光譜,PL、PLE光譜,磁光和時間分辨法拉第旋轉光譜);低溫強磁場系統和各種電學測試手段。研究所新建的“半導體...