金屬MBE是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的科學儀器,於2017年7月31日啟用。
基本介紹
- 中文名:金屬MBE
- 產地:中國
- 學科領域:信息與系統科學相關工程與技術
- 啟用日期:2017年7月31日
金屬MBE是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的科學儀器,於2017年7月31日啟用。
金屬MBE是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的科學儀器,於2017年7月31日啟用。技術指標1、真空度:進樣室>1*10-8pa,MBE>1*10-8pa2、manipulate:內外圈加熱器>900℃,且溫度分...
《矽表面金屬納米糰簇有序組裝及電致遷移機制》是依託上海交通大學,由孔向陽擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 研究超高真空條件下,採用MBE方法在矽(111)重構表面,組裝生長不同材料的納米糰簇結構。研究在外加脈衝瞬態電流作用下,矽...
這兩項新技術是把MBE和發展很快的金屬有機化合物氣相沉積(MOCVD)技術相結合,進一步改進了MBE的生長和控制能力。把分子束外延和脈衝雷射結合起來,發展成所謂雷射分子束外延(L-MBE)技術。它是用雷射照射靶來代替分子(原子)束源,更容易...
這兩項新技術是把MBE和目前發展很快的金屬有機化合物氣相沉積(MOCVD)技術相結合,進一步改進了MBE的生長和控制能力。把分子束外延和脈衝雷射結合起來,發展成所謂雷射分子束外延(L-MBE)技術。它是用雷射照射靶來代替分子(原子)束源,更...
但是,LT-MBE方法的生長溫度過低,從而使 GaAs半導體的一些性質依賴於LT-MBE的某些工藝 條件(例如襯底溫度,As過壓等)。金屬有機化學氣相沉積 MOCVD法利用有機金屬熱分解進行氣相外延生 長,可以合成組分按任意比例組成的人工合成材料, ...
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發,電子槍加熱蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD雷射濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。簡介 需要鍍膜的被稱為基片...
獲得單晶薄膜的外延方法有:①分子束外延(MBE),②金屬有機物化合物氣相沉積(MOCVD),③脈衝雷射沉積(PLD),④電子束沉積(EBD),⑤原子束沉積(ABD),⑥早期還有電泳沉積、化學氣相沉積、液相外延法等。技術發展 隨著對薄膜生長精度要求...
這種生長單晶薄膜的新技術,在1970年被稱為分子束外延(MBE)。由於美國貝爾實驗室的卓越工作,分子束外延在70年代獲得迅速發展。用分子束外延生長的片子,其組分、厚度、摻雜濃度的均勻性已可控制在±1%。外延層厚度已達原子層量級可控...
抗風性能檢測是對建築金屬圍護系統整體結構性能的評估,與建築壽命直接相關。現階段常用的抗風性能檢測方法分別為FM4471《1級平板屋面認證標準》,採用的是實驗室氣囊法,通過靜態階梯加壓方式,不斷加壓直至試件出現破壞;ASTM E1592《薄板...
但mocvd設備也有自身的缺點,它與mbe設備一樣價格不菲,而且由於採用了有機金屬做為源,使得在使用mocvd設備時不可避免地對人體及環境產生一定的危害。這些都無形中增加了製備成本。對於低壓生氏,系統只需要配置機械泵和壓力控制器就可控...