鄭厚植，中國科學院院士、物理學專家。1942年出生於江蘇省。1965年畢業於清華大學無線電電子學系。中國科學院半導體研究所研究員，半導體超晶格國家重點實驗室學術委員會主任，國家“973”計畫IT前沿中的量子結構、量子器件及其集成技術項目首席科學家。曾任中國科學院半導體研究所所長。在半導體低維物理的系統研究中取得多項重要成果。揭示了量子霍耳效應的尺寸效應、量子霍耳電勢分布特性，提出和研究了用分裂柵實現準一維電子氣的辦法和特性。在空穴多體作用誘導的磁阻現象、各類共振隧穿現象、量子霍耳區的磁阻現象及擴散係數、朗道態密度測量和低維激子光譜等方面作出許多有價值的成果。 獲中國科學院自然科學獎一等獎等。現為北京郵電大學理學院院長。
基本介紹
- 中文名：鄭厚植
- 國籍：中國
- 民族：漢族
- 出生地：江蘇省
- 出生日期：1942年
- 職業：物理學專家
- 畢業院校：清華大學無線電電子學系
- 主要成就：獲中國科學院自然科學獎一等獎
- 職務：半導體超晶格國家重點實驗室學術委員會主任
- 職稱：中國科學院半導體研究所研究員
人物簡介,科研成果,研究領域,主要項目,代表論著,
人物簡介
最早報導了量子霍耳效應的尺寸效應，產生了顯著影響並推進了國際上霍耳量子效應研究的深入發展。與英國Thornton同時獨立地最早提出分裂柵控技術並用此技術實現了具有高遷移率一維異質結量子線，被廣泛用來製成量子線、點等低維結構，被認為是國際低維半導體結構物理的重要的先驅性工作。在空穴多體作用誘導的磁阻現象，各類共振隧穿現象，量子霍耳區的磁阻現象，量子霍耳區的擴散係數，朗道態密度測量和低維激子光譜等方面做出了許多有價值的成果。1995年當選為中國科學院院士。
科研成果
其在半導體低維量子結構領域內作出了系統而重要的成果。最早報導了量子霍耳效應的尺寸效應；與英國學者同時獨立地在國際上最早提出了分裂柵控技術，並用它實現了具有高遷移率的一維異質結量子線；首次報導了局域化由二維至一維的維度變換行為；首次從實驗上證實了相位損失時間與電導的重要理論關係；提出了空穴反常磁阻效應新理論；報導了二維至二維共振隧穿模式的特異性；發展了測量量子霍耳區電子擴散係數、量子阱中電子隧穿逃逸時間和利用雙勢壘結構磁電容譜測量朗道態密度的新原理、新方法；研製了可調諧量子點微腔探測器、光存儲探測器等新器件。曾獲1994、1995年度中國科學院自然科學一等獎、二等獎
研究領域
1、低維量子結構物理和納米量子器件
2、半導體自旋電子學和自旋量子器件
3、半導體中的量子相干過程、波函式工程和量子相干器件
主要項目
1.國家攀登計畫重大項目“半導體超晶格物理及材料、器件探索”（1991－1995）首席專家。
2.國家攀登計畫重大項目“半導體超晶格、低維量子結構物理、材料和器件探索”（1996－2000）首席專家。
3.國家自然科學基金重點項目“半導體/非半導體低維結構物理及其套用”（1998－2001）首席專家。
4.中科院重要方向項目“量子結構、量子器件的基礎研究”（2001.10－2006.10）首席專家。
5.“973”項目“IT前沿中的固態量子結構、量子器件及其集成技術”（2002－2006）首席專家
代表論著
1. H.Z.Zheng,K.K.Choi and D.C.Tsui, “Observation of size effect in the quantum Hall regime”
2. H.Z.Zheng, H.P.Wei and D.C.Tsui, “Gate-controlled transport in narrow GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures”
3. H.Z.Zheng, H.P.Zhou, “Influences of particle-hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two-dimensional hole systems”
4. H.Z.Zheng, F.H.Yang and Z.G.Chen, “Nonresonant magneto-tunneling in asymmetric GaAs/AlAs double barrier structures”
5. H.Z.Zheng, A.M.Song, F.H.Yang and Y.X.Li, “Density of states of Two-Dimensional Electron Gas Studied by Magnetocapacitance of Biased Double Barrier Structures”
6. H.Z.Zheng, H.F.Li, Y.M.Zhang, Y.X.Li, X.P.Yang, P.H.Zhang, Wei Zhang, J.F.Tan, “Experimental study of tunneling escape through double barrier resonant tunneling structures”
7. K.J.Luo, H.Z.Zheng, Z.D.Lu,J.Z.Xu, Z.Y.Xu, T.Zhang, C.F.Li, X.P.Yang, J.F.Tian, “Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells”
8. J.Q.You, H.Z.Zheng and W.L.Wang, “Magnetoexciton Polaritons in Planar Semiconductor Microcavities”
9. Yan Tang, Houzhi Zheng, Fuhua Yang, Ping heng Tan, Chengfang Li and Yuexia Li, “Electrical Manifestation of Quantum-Confined Stark Effect by Quantum Capacitance Response in an Optically Excited Quantum Well”
10. Lixiang Cen, Xinqi Li, Yijing Yan, Houzhi Zheng, Shunjin Wang, “Evaluation of holonomic quantum computation:Adiabatic versus nonadiabatic”
