《LED外延晶片用砷化鎵襯底》是2015年4月1日實施的一項中國國家標準。
《LED外延晶片用砷化鎵襯底》是2015年4月1日實施的一項中國國家標準。 編制進程2014年7月24日，《LED外延晶片用砷化鎵襯底》發布。2015年4月1日，《LED外延晶片用砷化鎵襯底》實施。起草工作主要起草單位：...
GaAs epitaxial wafer，在特定晶向[(100)或(100)偏向最近2 ～5 的晶面]砷化鎵襯底上外延生長的單晶薄層材料外延工藝有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。工業選擇取決於器件結構等因素，一般LPE、VPE多用於商品化器件，如光探測器、霍爾器件等。MBE、CBE、ALE多用於量子阱超晶格材料。MOCVD兩方面兼而有之。
砷化鎵於1964年進入實用階段。砷化鎵可以製成電阻率比矽、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來製作積體電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由於其電子遷移率比矽大5～6倍，故在製作微波器件和高速數字電路方面得到重要套用。用砷化鎵製成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。
《LED外延晶片用磷化鎵襯底》是2015年4月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 2014年7月24日，《LED外延晶片用磷化鎵襯底》發布。2015年4月1日，《LED外延晶片用磷化鎵襯底》實施。起草工作 主要起草單位：中國科學院半導體研究所、有研光電新材料有限公司、雲南中科鑫圓晶體材料有限公司。主要起草人：趙有文、提劉...
LED外延片是一塊加熱至適當溫度的襯底基片，材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術、晶片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線。簡介 LED外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、SiC、Si)上，氣態物質InGaAlP有...
2012年3月22日-3月24日，北京合能陽光新能源技術有限參與討論審議了藍寶石單晶晶錠，藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法，藍寶石單晶襯底片翹曲度測試方法，LED外延晶片用砷化鎵襯底規範，碳化矽單晶拋光片等14項半導體材料國家標準。2012年3月15日起，合能陽光提出了“收養太陽能檢測孤兒——儀器出保後維修和保險計畫...
