《IV族、III-V和II-VI族半導體材料的特性》是2009年7月由科學出版社出版的圖書,作者是Sadao Adachi。
基本介紹
- 書名:IV族、III-V和II-VI族半導體材料的特性
- 作者:Sadao Adachi
- 譯者:季振國
- 出版社:科學出版社
- 出版時間:2009-07
- 頁數:356 頁
- ISBN:9787030250957
《IV族、III-V和II-VI族半導體材料的特性》是2009年7月由科學出版社出版的圖書,作者是Sadao Adachi。
《IV族、III-V和II-VI族半導體材料的特性》是2009年7月由科學出版社出版的圖書,作者是Sadao Adachi。內容簡介《4族、3-5和2-6族半導體材料的特性》內容簡介:以矽為基礎的微電子技術在信息技術中仍...
主要的半導體性質有I族與V、VI、VII族;II族與IV、V、VI、VII族;III族與V、VI族;IV族與IV、VI族;V族與VI族;VI族與VI族的結合化合物,但受到元素的特性和製作方式的影響,不是所有的化合物都能夠符合半導體材料的要求。
Dietl等用平均場模型計算得出一些半導體(包括III-V、II-VI和IV族)的居里溫度在Mn摻雜含量和空穴濃度達到一定水平時可以提高到室溫以上,因此,提高稀磁半導體的居里溫度、探索新的磁性半導體材料已經成為半導體自旋電子學研究的一個熱點。...
(1)以IV族元素為主要成分的非晶半導體,如非晶矽,鍺等;(2)以VI族元素為主要成分的半導體,如碲-鍺共熔體,硫砷,硒砷等;(3)氧化物玻璃半導體,如V₂O₅—P₂O₅,V₂O₅—P₂O₅—BaO等。玻璃半導體...
本項目計畫結合超原胞方法和CPA方法,研究常見的III-V, II-VI和IV族稀磁半導體材料和器件中雜質和缺陷的多種分布(如團簇和無序等)對材料和器件的結構、磁性和電輸運性質的影響,其中電輸運性質的計算採用基於密度泛函的非平衡格林...
《模板法製備II-VI族半導體量子線陣列》是李彥為項目負責人,北京大學為依託單位的青年科學基金項目。 項目摘要 一維量子線在電子和光學器件中既是功能組件,又是連線組件,因此量子線的製備研究有重要意義。本課題擬採用三類結構有序的...
遺傳算法全局搜尋、第一原理計算和分子動力學模擬等有機結合,作為一個整體來系統研究Wurtzite型半導體材料在小尺寸和低維度下結構轉化,如AlN、GaN、InP、GaAs等III-V族半導體,ZnO、ZnS、CdS等II-VI族半導體和SiC等IV族半導體。
(3)通過建立的強磁場調製雷射液相融蝕實驗裝置,我們在原有的IV族半導體材料研究基礎上引入磁性納米粒子,成功通過磁場約束雷射液相融蝕技術一步合成出了一種具有強磁特性的Fe3C@Fe5C2納米束結構。該研究不僅揭示了強磁場約束下雷射液相...
諧振隧穿二極體可以使用多種材料製造(比如III-V族,IV族或II-IV族半導體)和多種不同諧振隧穿結構(比如重摻雜PN結,雙勢壘,三勢壘,勢阱)。其中一種由兩層薄層中間的單個勢阱構成,稱為雙勢壘結構。載流子在勢阱中間只能有分立的...