《低維度小尺寸Wurtzite材料的結構演化與新型量子線的設計》是依託南開大學，由周震擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：低維度小尺寸Wurtzite材料的結構演化與新型量子線的設計
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：周震
- 依託單位：南開大學
- 批准號：20873067
- 申請代碼：B0301
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：31（萬元）
中文摘要
半導體納米結構材料在技術上有著重要的套用價值。本申請將結構建模、遺傳算法全局搜尋、第一原理計算和分子動力學模擬等有機結合，作為一個整體來系統研究Wurtzite型半導體材料在小尺寸和低維度下結構轉化，如AlN、GaN、InP、GaAs等III-V族半導體，ZnO、ZnS、CdS等II-VI族半導體和SiC等IV族半導體。研究原子種類、表面狀態等對納米結構的量子特性的影響。研究納米結構的表面鈍化和結構重組對其結構、穩定性和電子特性的影響。深入理解低維度、小尺寸Wurtzite半導體結構的量子限域效應和表面效應，為改變實驗條件控制納米材料的結構、生長和性能提供理論依據。從整體上深入理解和認識Wurtzite結構演化和物性差異的內在因素，探索調節Wurtzite半導體能隙的途徑，包括合金固溶體、共軸納米電纜、雙軸複合納米線和納米條帶等，設計基於Wurtzite型化合物納米複合結構的新型量子線。
