IPD90R1K2C3是一款分離式半導體產品，最大功率為83W。
基本介紹
- 中文名：IPD90R1K2C3
- 類別：分離式半導體產品
- 家庭：MOSFET，GaNFET - 單
- FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
基本信息,其他參數,
基本信息
類別：分離式半導體產品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.2 歐姆 @ 2.8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：900V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：5.1A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 310µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：28nC @ 10V
其他參數
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：710pF @ 100V
功率 - 最大：83W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)
包裝：帶卷 (TR)
供應商設備封裝：TO-252
