IPD30N03S2L-10是一款分離式半導體產品，FET 型為MOSFET N 通道，金屬氧化物。
基本介紹
- 中文名：IPD30N03S2L-10
- 功率：100W
- 安裝類型：表面貼裝
- CPU插槽： AM2 940
基本參數
類別：分離式半導體產品
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：30A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：42nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1200pF @ 25V
- 最大：
封裝/外殼：DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)
包裝：帶卷 (TR)
供應商設備封裝：TO-252
