1956 年，貝爾實驗室的里德提出一種雪崩二極體，表現出顯著的輸運時間延遲，並具有負阻【1】特性。IMPATT這個名稱是主要工作機理——碰撞雪崩和渡越時間——詞首的縮寫。通常， IMPATT二極體模式在接近於“渡越時間”頻率時工作效率最高，而由直流向射頻功率轉換時的效率目前限制在15 %左右。1965年約斯湯、戴勞赫和柯恩在矽二極體內首次實驗性地觀察到微波振盪，用實驗實現了IMPATT二極體。雪崩二極體【2-3】發展速度是很快的。到19世紀60年代末生產出了340 GHz的振盪器。矽碰撞雪崩渡越時間二極體可以連續產生高達3千瓦的功率，產生高功率的脈衝。目前，雪崩二極體已成為常用的固體微波功率源。在整個微波頻率範圍（約1千兆赫至10千兆赫）的接收機和某些發射機內可獲得足夠的連續波功率。IMPATT二極體是微波功率最強的固態源，連續輸出功率可達110mW。振盪頻率可從1GHz到300GHz, 而噪聲和工作電壓卻較高。
基本介紹
- 外文名：IMPATTdiode
- 性質：周態微波二極體
- 特性：負阻特性
- 提出者：里德
IMPATTdiode一種具有負阻特性的周態微波二極體，其特性系由薄基片中的碰撞雪崩擊穿效應和載流子渡越時間效應結合產生，而基片通常由砷化鎵或矽製成。當將這種二極體適當地安裝在可調諧腔體或波導中時，它便可以成為工作在千兆赫頻段上的振盪器或放大器。
