《H和He離子聯合注入單晶矽氣泡生長及機理研究》是依託天津大學，由劉昌龍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：H和He離子聯合注入單晶矽氣泡生長及機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：劉昌龍
- 依託單位：天津大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：A3001
- 研究期限：2007-01-01 至 2008-12-31
- 批准號：10675089
- 支持經費：26（萬元）
項目摘要
採用H離子或高密度H電漿與He離子一起聯合注入到n型單晶Si樣品中，一方面藉助於透射電子顯微鏡詳細地研究氣泡形成和熱生長與注入參數之間的定量依賴關係，以便綜合分析出降低單晶Si中氣泡形成劑量的最最佳化實驗參數；另一方面使用可變能量的正電子湮滅譜儀、二次離子質譜儀等精密測試技術定量地分析注入產生的缺陷和引入的氣體原子的分布及其熱演變規律，得到Si中注入氣泡與空位型缺陷和氣體原子間相互作用的真實信息
