《GaN薄膜的ECR電漿輔助MOCVD生長及特性研究》是依託大連理工大學,由徐茵擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：GaN薄膜的ECR電漿輔助MOCVD生長及特性研究
- 依託單位：大連理工大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：徐茵
- 支持經費：11.5（萬元）
- 研究期限：1996-01-01 至 1998-12-31
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：F0401
- 批准號：69576003
項目摘要
本基金創造性的提出並採用了新穎的ECR-PAMOCVD可控活化低溫外延技術，在不同襯底上低溫生長出了六方和立方GaN薄膜；為了改善晶質和相純度，在先進的腔耦合型ECR電漿源基礎上獲得了高活化氮源；摸索出一套科學的生長工藝流程；多種測試結果表明，我們已在大失配度的國產（001）GaAs襯底上低溫外延出晶質較好，相純度較高的立方GaN單晶膜，並研究了其光學和電學特性，實現了帶邊發光。這表明獨特的電漿處理工藝是成功的，為GaN系藍光材料生長開闢了新途徑。正在研製的ESPD-U裝置兼有MOCVD和MBE生長裝置的先進功能，更適合於多種低維材料的外延生長。我們獨創性的工作得到了國內外同行專家的認可，已被納入國家863計畫和211工程重點建設學科。
