《GaN稀磁半導體的離子注入製備和特性研究》是依託武漢大學，由石瑛擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：GaN稀磁半導體的離子注入製備和特性研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：石瑛
- 依託單位：武漢大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：A3003
- 研究期限：2003-01-01 至 2005-12-31
- 批准號：10205010
- 支持經費：27（萬元）
項目摘要
稀磁半導體兼具半尋導體和磁性材料的優良特性但目前對GaN基稀磁半導體還罕有研究，困難在於現有的稀磁半導體製備工藝難以用於GaN外延層，通過探索合適的注入及退火條件，實現GaN基稀磁半導體的製備；通過研究注入樣品的磁、電及光學特性，弄清GaN其稀磁半導體的物理機制，為GaN在磁電子學的新套用提供依據。
