《GaN 線性功率器件及大信號模型》是依託杭州電子科技大學，由程知群擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：GaN 線性功率器件及大信號模型
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：程知群
- 依託單位：杭州電子科技大學
- 批准號：60776052
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
本項目通過採用數值算法自洽求解Poission和Schr?dinger方程，計算在AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN結構中，不同緩變層AlyGa1-yN厚度和Al、Ga組分比形成的異質結導帶差大小，以及2DEG中靠近異質結界面的橫向電場隨導帶差的變化情況，進而得出緩變層AlyGa1-yN厚度和Al、Ga組分比對2DEG中靠近異質結界面橫向電場的影響；同時，用TCAD軟體從物理結構角度來仿真在AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN結構中，緩變層AlyGa1-yN厚度和Al、Ga組分比改變，對器件直流和交流特性產生的影響，為確定最佳器件外延層結構提供理論上分析；再通過實驗，實際在藍寶石襯底上外延生長AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN HEMT，並進行流片和大信號測試；在此基礎上建立一種新的改進的大信號模型，並把建立的模型嵌入到ADS微波電路設計軟體中。
