《GaAsIC數字微波技術基礎研究》是依託上海交通大學，由王慶康擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：GaAsIC數字微波技術基礎研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王慶康
- 依託單位：上海交通大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：F0402
- 研究期限：1995-01-01 至 1996-12-31
- 批准號：69476016
- 支持經費：7（萬元）
項目摘要
GaAsIC數字微波技術基礎研究，採用人工智慧電路最佳化設計技術和三維時域電磁場全波模擬方法，對GaAsIC數字微波及高速IC中的關鍵問題進行了基礎研究。在國內首先採用電路的自舉反饋原理，提出了一種新的全部由耗盡型GaAsMESFET構成的單電源GaAsMECFET直接耦合邏輯FET單元電路。新型IC單元比其它各種GaAsIC單元有明顯優點。本項目國內首先較為系統地研究了對稱凝縮節點和擴散節點二種三維時域電磁場全波模擬傳輸線矩陣方法及其在數字微波領域中的套用。提出了數值模擬方法中數值截止頻率對波的數值調製效應。研製成功面向積體電路晶片結構的高速數字傳輸特性的三維電磁場域模擬器。完成了七篇研究論文。有一定的創新、在國內居領先地位。
