基本介紹
- 中文名:砷化鎵
- 外文名:Gallium arsenide
- 熔點:1238℃
- 外觀:黑灰色固體
- 化學式:GaAs
- 相對分子質量:144.64
- 用途:製造光耦、微波器件等
- 類別:高速半導體材料
- CB號:CB7249244
- CAS號:1303-00-0
- EINECS號:215-114-8
- 禁頻寬度:1.424eV(300K)
GaAs編輯 鎖定 是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物,黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩定存在,並且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料,其電子...
《GaAs光電陰極》是著者承擔國家科研項目的總結,是論述GaAs光電陰極的專著,由常本康主編。...
《GaAs的非線性體光學效應及全固態被動鎖模雷射器》這篇論文的作者是張築虹,由鄧錫銘研究員指導,學位授予單位為中國科學院上海光學精密機械研究所。...
砷化鎵(gallium arsenide),化學式 GaAs。黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩定存在,並且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬...
20世紀60年代,Gobat等研製了第1個摻鋅GaAs太陽電池,不過轉化率不高,僅為9%~10%,遠低於27%的理論值。20世紀70年代,IBM公司和前蘇聯Ioffe技術物理所等為代表...
1. GaAs、InP大直徑單晶和高性能HEMT、PHEMT、InP HEMT中材料製備。2. 深亞微米精細結構製備3. CAD和CAT技術4. 封裝技術MMIC國外概況 編輯 ...
GaAs-MESFET具有優良的微波、高速、大功率和低噪音等性能。例如,對於柵長L=1μm、柵寬W=250μm的微波GaAs-MESFET的噪音,在C波段時為1 dB (相應的BJT為2 dB...
GaAs epitaxial wafer,在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ~5 的晶面]砷化鎵襯底上外延生長的單晶薄層材料外延工藝有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。...
InN的外延襯底材料就現在來講有廣泛套用的,其中有:InN;α-Al2O3(0001);6H-SiC;MgAl2O4(111);LiAlO2和LiGaO2;MgO;Si;GaAs(111)等。...
一般公認審計準則,簡稱GAAS。GAAS由美國註冊會計師協會(AICPA)下屬的審計準則委員會(ASB)發布,對審計人員及其工作所作的原則性規定。...
特點: 1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)晶片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS晶片的GaP襯底....
半導體雷射器又稱雷射二極體,是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(...
砷化鎵積體電路(gallium arsenide integrated circuit,GaAsIC),是指用半導體砷化鎵(GaAs)器件構成的積體電路。砷化鎵積體電路包括了砷化鎵超高速積體電路(VHsIC)、微波單...
1.研製成功長壽命GaAs半導體雷射器率先主持研製成功我國第一支室溫連續波運行10萬小時的GaAs半導體雷射器,推動了我國光纖通信的發展。...
液相外延工藝是用 Ga/GaAs熔池覆蓋襯底表面,然後通過降溫以生長外延層,也可採用溫度梯度生長法或施加直流電的電外延法。在器件(特別是微波器件)的製造方面,汽相...
從1980年起,主要從事半導體深能級物理和光譜物理研究,提出了識別兩個深能級共存系統兩者是否是同—缺陷不同能態的新方法,解決了國際上對GaAs中A、B能級和矽中金受...
水平Bridgman方法和它的各種改進型,占據了GaAs生長的半數以上的市場。將固態的鎵和砷原料裝入一個熔融石英制的安瓿中,然後將其密封。多數情況下,安瓿包括一個容納...
1、InAs/GaAs自組織量子點材料與量子器件:採用單原子層循環外延溫度調製技術獲得高密度1.3微米InAs/GaAs自組織量子點,研製成功量子點雷射器,掌握極低密度量子點...
劉軼博士一直致力於新一代積體電路晶片為基礎的高速信號通信的研究和開發,在功率放大器的拓撲結構、智慧型型可控電源的InGap/GaAs HBT射頻功率放大器(PA)、多頻段(2.4...
III-V族化合物,是元素周期表中III族的B,Al,Ga,In和V族的N,P,As,Sb形成的化合物,主要包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)和氮化鎵等。...