場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。根據三極體的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐，屬於電壓控制型器件。
基本介紹
- 中文名：場效應電晶體
- 外文名：Field Effect Transistor縮寫(FET)
- 簡稱：場效應管，單極型電晶體
- 名詞領域：電氣
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概念信息
特點
具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者.
作用
場效應管可套用於放大電路，由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器.
場效應管還可以用作電子開關.
場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恆流源.
相關信息
分類信息
按溝道材料：結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.
按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應電晶體可分為結場效應電晶體和MOS場效應電晶體，而MOS場效應電晶體又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類.見下圖 :
主要參數
Idss — 飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流.
Up — 夾斷電壓.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓.
Ut — 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓.
gM — 跨導.是表示柵源電壓UGS — 對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數.
BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小於BVDS.
PDSM — 最大耗散功率，也是一項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時，場效應管實際功耗應小於PDSM並留有一定餘量.
IDSM — 最大漏源電流.是一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流.場效應管的工作電流不應超過IDSM
管腳識別
判定柵極G：將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負極任意接一電極，另一隻表筆依次去接觸其餘的兩個極，測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道；若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。
判定源極S、漏極D：
在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
比較
場效應管是電壓控制元件,而電晶體是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用電晶體.
場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是既利用多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件.
有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比電晶體好.
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊矽片上，因此場效應管在大規模積體電路中得到了廣泛的套用.
