FDS4435

FDS4435採用SOIC封裝方式，電晶體極性是P溝道，開態電阻是0.02ohm，電壓最高是-25V。

基本介紹

• 外文名：FDS4435
• 電晶體極性：P溝道
• 開態電阻：0.02ohm
• 電壓 最高：:-25V

主要參數

FDS4435，採用SOIC封裝方式。

電晶體極性:P溝道

漏極電流, Id 最大值:-8.8A

電壓, Vds 最大:30V

開態電阻, Rds(on):0.02ohm

電壓 @ Rds測量:-10V

電壓, Vgs 最高:-25V

功耗:2.5W

其他參數

工作溫度範圍:-55oC to +175oC

封裝類型:SOIC

針腳數:8

SMD標號:FDS4435

功率, Pd:2.5W

封裝類型:SOIC

電晶體數:1

電晶體類型:MOSFET

滿功率溫度:25°C

電壓 Vgs @ Rds on 測量:-10V

電壓, Vds:30V

電壓, Vds 典型值:-30V

電流, Id 連續:8.8A

電流, Idm 脈衝:50A

表面安裝器件:表面安裝

閾值電壓, Vgs th 典型值:-1.7V

閾值電壓, Vgs th 最高:-3V