CrSi2低維納米結構的精細控制、生長機理及套用研究

《CrSi2低維納米結構的精細控制、生長機理及套用研究》是依託哈爾濱工業大學，由王華濤擔任項目負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

• 中文名：CrSi2低維納米結構的精細控制、生長機理及套用研究
• 依託單位：哈爾濱工業大學
• 項目類別：青年科學基金項目
• 項目負責人：王華濤

項目摘要

半導體低維納米材料的研究非常重要，對於微電子、光電、生物等領域的發展具有重要意義。在半導體低維納米材料的研究中，對於該材料的生長控制是其核心之一。即：控制半導體低維納米材料的尺寸、形貌、成分、晶型等參數，使之生長為期望的狀態，具有特定的屬性。近些年來，在半導體低維納米材料的尺寸調控、成分調控、晶型調控等方面已經取了重要進展，但控制其生長方向、形成具有特殊形貌的超級納米結構的研究才剛剛開始。本項目以CrSi2納米材料為研究中心，通過氣源壓力和溫度的調控，期望實現CrSi2納米結構生長方向的精細控制，從而實現CrSi2超級納米結構的製備，以期套用於生物/化學探測等領域。本項目還對氣相生長中，氣源濃度和溫度對成核晶面和生長晶面的影響做以研究，並將考察CrSi2極性晶面對納米結構生長方向的影響。

結題摘要

半導體低維納米材料的研究非常重要。在半導體低維納米材料的研究中，對於該材料的生長控制是其核心之一。即：控制半導體低維納米材料的尺寸、形貌、成分、晶型等參數，使之生長為期望的形態，具有特定的屬性。近些年來，在半導體低維納米材料的尺寸控制、成分調控、晶型調控等方面已經取得了重要進展，但控制其生長方向、形成具有特殊形貌的超級納米結構的研究才剛剛開始。本項目以CrSi2納米材料為研究中心，通過氣源壓力和溫度的調控，實現CrSi2納米結構生長方向的精細控制，以及CrSi2微米管、納米帶的控制生長和機理分析，取得較好的結果。特別是有關氣壓突變對CrSi2生長直徑和生長方向的發現和論述，是本項目最為重要的研究成果之一。 科普：通過本項目的系統研究發現，無機晶體的生長與生機體的進化有異曲同工之妙，都是外因和內因共同作用的結果。對於無機晶體的生長，其內因主要指其晶體結構，外因主要是生長環境，包括壓力、溫度、濃度等因素。