BFS540的功率特性為中功率，特點為高功率增益、低噪聲特性，類別為高頻低噪聲寬頻NPN電晶體。
基本介紹
- 中文名：BFS540
- 功率特性：中功率
- 特點：高功率增益、低噪聲特性
- 類別：高頻低噪聲寬頻NPN電晶體
簡介,BFS540參數,電性能參數（TA=25℃）,
簡介
BFS540矽超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態範圍和理想的電流特性。主要套用於超高頻低噪聲功率管主要套用於VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模組等高頻寬頻低噪聲放大器。該晶片原產於PHILIPS，現在國內也有公司生產。軍用微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研製開發了系列高頻微波三極體，還包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產品相同。
BFS540參數
類別：NPN-矽通用高頻低噪聲寬頻NPN電晶體
集電極-發射極電壓VCEO：15V
集電極-基極電壓VCBO:20V
發射極-基極電壓VEBO:2.5V
集電極直流電流IC:120mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作結溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式：SOT-323或者SOT-23
功率特性：中功率
極性：NPN型
結構：擴散型
材料：矽(Si)
封裝材料：塑膠封裝
電性能參數（TA=25℃）
擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V
直流放大係數hFE: 60～250 @VCE=8V,IC=40mA
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
特徵頻率fT:9.0GHz@ VCE=8V,IC=40mA
集電極允許電流IC：0.12（A）
集電極最大允許耗散功率PT：0.5（W）
噪聲係數NF：1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
功率增益GUM：14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
