AlN/Diamond/Si多層膜聲表面波器件及其高頻特性研究

AlN/Diamond/Si多層膜聲表面波器件及其高頻特性研究

《AlN/Diamond/Si多層膜聲表面波器件及其高頻特性研究》是依託天津理工大學,由楊保和擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:AlN/Diamond/Si多層膜聲表面波器件及其高頻特性研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:楊保和
  • 依託單位:天津理工大學
  • 研究期限:2006-01-01 至 2008-12-31
  • 批准號:60576011
  • 支持經費:22(萬元)
  • 申請代碼:F0401
  • 負責人職稱:教授
項目摘要
SAW器件已成為先進電子系統的關鍵器件之一,金剛石多層膜結構的相關工作是影響我國SAW器件發展的瓶頸,亟待進一步深入研究。AIN/diamond多層膜結構SAW器件可以達到更高的頻率;相速度速度頻散很小;中心頻率隨溫度升高而漂移很小,比其它多層膜結構有特殊的優勢。.用Maxwell方程組和細觀力學理論,運用用CFD-ACE軟體和ANSYS軟體,模擬計算AlN/金剛石多層膜SAW性能,找出多層膜體系的最佳化方案;研究加少量氧有利於生成平整優質的金剛石膜機理。我們提出:氧更容易刻蝕晶粒突出的尖角部位,有利於抑制競爭性生長,有利於生成平整優質的金剛石膜。

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