《670nm半導體量子阱雷射器批量生產》,是以中國科學院半導體研究所為主要完成單位,由郭良等人完成的科研項目。
基本介紹
- 中文名:670nm半導體量子阱雷射器批量生產
- 完成人:郭良等
- 獲獎情況:國家科學技術進步獎二等獎
- 項目編號:J-219-2-04
《670nm半導體量子阱雷射器批量生產》,是以中國科學院半導體研究所為主要完成單位,由郭良等人完成的科研項目。
研究最多的是紅光波段和藍綠光波段的半導體材料,大多採用MBE ( molecular beam epitaxy) 及MOVPE (metalorganic vapor phase epitaxy)等先進薄膜生長技術製備的量子阱材料。635~670nm波段採用InGaAlP/GaAs材料。採用這種材料製成的紅光半導體雷射器已投入市場。藍綠光雷射材料可採用寬頻I-V族材料,這種材料主要是採用MBE...
於是,在1978年出現了世界上第一隻半導體量子阱雷射器(QWL),它大幅度地提高了半導體雷射器的各種性能.後來,又由於MOCVD,MBE生長技術的成熟,能生長出高質量超精細薄層材料,之後,便成功地研製出了性能更加良好的量子阱雷射器,量子阱半導體雷射器與雙異質結(DH)雷射器相比,具有闌值電流低、輸出功率高,頻率...
量子阱半導體大功率雷射器在精密機械零件的雷射加工方面有重要套用,同時也成為固體雷射器最理想的、高效率泵浦光源.由於它的高效率、高可*性和小型化的優點,導致了固體雷射器的不斷更新.在印刷業和醫學領域,高功率半導體雷射模組也有套用.另外,如長波長雷射器(1976年,人們用GanAsP/InP實現了長波長雷射器)用於光...
(1)波長:即雷射管工作波長,目前可作光電開關用的雷射管波長有635nm、650nm、670nm、雷射二極體690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。(2)閾值電流Ith :即雷射管開始產生雷射振盪的電流,對一般小功率雷射管而言,其值約在數十毫安,具有應變多量子阱結構的雷射管閾值電流可低至10mA以下。(3)工作電流...
半導體雷射二極體的工作原理,理論上與氣體雷射器相同。常用參數 ⑴波長:即雷射管工作波長,可作光電開關用的雷射管波長有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。⑵閾值電流Ith :即雷射管開始產生雷射振盪的電流,對一般小功率雷射管而言,其值約在數十毫安,具有應變多量子阱結構的雷射管...
量子阱雷射二極體具有閾值電流低,輸出功率高的優點,是市場套用的主流產品。作為元件材料,使用AlGaAs、InGaAlP、InGaN、ZnO等化合物半導體,由於LSI及Tr、Di等使用的Si躍遷機率(電流轉變為光的機率)較差,因此不適用於雷射二極體。主要技術參數 ①波長:即雷射管工作波長,可作光電開關用的雷射管波長有635nm、650nm、...
670nm半導體量子阱雷射器批量生產 《670nm半導體量子阱雷射器批量生產》,是以中國科學院半導體研究所為主要完成單位,由郭良等人完成的科研項目。參與情況 主要完成人:郭良、馬驍宇、陳良惠、王麗明、茅冬生、譚滿清、潘貴生、劉德鈞、王樹堂、李玉璋 獲獎情況 2000年度國家科學技術進步獎二等獎。
1998年11月25日,1998 譚滿清,茅冬生,InP表面清洗技術,中國專利, 99100810.3,申請日: 1999年2月14日, 1999 郭良等,排名第6位,“670nm半導體量子阱雷射器批量生產“,獲國家科技進步二等獎,中國科學院科技進步一等獎,2000 肖建偉等,排名第7位,高功率雷射二極體列陣,中國科學院科技進步二等獎,2001 ...