《4H-碳化矽納米晶薄膜的製備及其紫外光發射研究》是依託中國科學技術大學，由楊碚芳擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：4H-碳化矽納米晶薄膜的製備及其紫外光發射研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：楊碚芳
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：69876033
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1999-01-01 至 2001-12-31
- 支持經費：13.9（萬元）
中文摘要
本項目擬用短程結構與4H-SiC相似的納米無機矽化物為矽源，將它分散在有機液體（作為碳源）中，再沉積在單晶矽或其它襯底上，經化學熱解，製得4H-SiC納米晶薄膜，研究其發光特性，旨在製得穩定性好、發光強度高的紫外發光薄膜。該主法和這種發紫外光的SiC納米П∧ぞ醇ǖ饋Ｕ舛曰⊙芯浚翱⒕哂幸煨閱艿畝灘ǔす獾繾悠骷加兄匾庖濉
