《納米碳化矽薄膜的製備、稀土摻雜及光電發射特性》是依託天津理工大學，由劉技文擔任項目負責人的面上項目。
《納米碳化矽薄膜的製備、稀土摻雜及光電發射特性》是依託天津理工大學，由劉技文擔任項目負責人的面上項目。項目摘要採用射頻磁控濺射隨後退火或襯底原位加熱製備納米米晶及稀土摻雜納米晶碳化矽薄膜，研究生長機理、納米尺度、微結構和...
《納米碳化矽薄膜的製備、稀土摻雜及光電發射特性》是依託天津理工大學，由劉技文擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用射頻磁控濺射隨後退火或襯底原位加熱製備納米米晶及稀土摻雜納米晶碳化矽薄膜，研究生長機理、納米尺度、微結構和界面效應、摻雜種類和密度影響光發射和場發射的規律，通過改變以上條件，消除光發射溫度...
薄膜物理（研究生）薄膜材料與技術（本科生）薄膜物理（研究生）薄膜材料與技術（本科生）科研項目 項目 1、一維納米SiC材料製備及場致電子發射性質研究(60476003)，國家基金，2005-2007，項目負責人；2、納米碳化矽薄膜的製備、稀土摻雜及光電發射特性(10074049)，國家基金，2001-2003，項目負責人；3、低維材料電子輸運...
單晶製備 為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響，半導體器件的基體材料一般採用單晶體。單晶製備一般可分大體積單晶(即體單晶)製備和薄膜單晶的製備。體單晶的產量高，利用率高，比較經濟。但很多的器件結構要求厚度為微米量級的薄層單晶。由於製備薄層單晶所需的溫度較低，往往可以...
6.4.3 稀土元素摻雜的壓電、介電材料 155 6.5 碳摻雜的氮化鋁半導體材料 161 6.6 鎂摻雜的氮化鋁半導體材料 165 參考文獻 165 第7章 氮化鋁材料的套用 170 7.1 微波、毫米波器件 170 7.1.1 高電子遷移率電晶體 171 7.1.2 場效應電晶體 173 7.1.3 場致電子發射納米器件 176 7.2 光電子器件 ...
